OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-1000 IR InGaAs Photodiode, Thông qua lỗ TO-46, TO-5　FCI-InGaAs-1000

OSI Khu vực hoạt động lớn InGaAs Photodiod. FCI-InGaAs-xxx-x series, từ OSI Quang điện tử, là khu vực hoạt động lớn InGaAs photodiod. Chúng là một loạt các máy dò nhạy cảm hồng ngoại cung cấp độ chịu trách nhiệm cao (1100-1620nm). Họ đến các gói TO-46 hoặc TO-5 với một cửa sổ phẳng. Các ứng dụng phù hợp cho họ photodiod này bao gồm; Thiết bị đo hồng ngoại, giám sát, thiết bị đo quang, đo điện, cảm biến hồng ngoại và các thiết bị y tế .. Tính năng: Khu vực hoạt động lớn: 1mm, 1.5mm và 3mm Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm - 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-120L-FC InGaAs Photodiode, thông qua lỗ Pigtail　FCI-InGaAs-120L-FC

OSI tốc độ cao InGaAs Photodiod. Dòng FCI-InGaAs-xxx, lấy từ OSI Optoelectronics, là các photodides tốc độ cao của InGaAs. Chúng rất lý tưởng cho các ứng dụng Datacom và Telecom. Những photodiodes tốc độ cao cung cấp điện dung thấp, tối hiện tại và có trách nhiệm cao, làm cho chúng phù hợp cho máy thu tốc độ bit cao được sử dụng trong LAN, MAN, WAN và các hệ thống truyền thông tốc độ cao khác. Họ photodiod này nằm trong các gói TO-46 cách ly 3 chân hoặc các gói thuốc 1 chân. Các ứng dụng phù hợp bao gồm; truyền thông quang tốc độ cao, máy thu sợi quang, Gigabit Ethernet và vòi quang .. Tính năng: Tốc độ cao Trách nhiệm cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm đến 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, UV-035EQ UV Si Photodiode, thông qua lỗ TO-8　UV-035EQ

OSI UV tăng cường Dòng Photodiod. Loạt UV Enhanced, từ OSI Optoelectronics, là một loạt các photodiod silicon tăng cường UV. Loạt bài này bao gồm hai họ riêng biệt của photodiod, kênh đảo ngược và khuếch tán phẳng. Cả hai họ này được thiết kế để phát hiện tiếng ồn thấp trong khu vực UV của quang phổ điện từ. Gia đình cấu trúc lớp đảo ngược thể hiện hiệu suất lượng tử bên trong 100%. Cung cấp khả năng chống shunt cao, tiếng ồn thấp và điện áp phân hủy cao, họ photodiod này là ý tưởng cho các phép đo ánh sáng cường độ thấp. Photodiod với cấu trúc khuếch tán phẳng cung cấp một điện dung thấp hơn và thời gian đáp ứng cao hơn so với gia đình đảo ngược sau này. Chúng cũng cho thấy sự tuyến tính của quang điện lên đến công suất đầu vào ánh sáng cao hơn so với các photodiod lớp đảo ngược. Các ứng dụng phù hợp cho loạt UV Enhanced bao gồm; giám sát ô nhiễm, thiết bị y tế, máy đo phơi sáng UV, quang phổ, lọc nước và huỳnh quang .. Các tính năng của loạt UV nâng cao: Lớp đảo ngược hoặc photodiod silicon khuếch tán phẳng Phản ứng UV tuyệt vời

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-500 InGaAs Photodiode, thông qua lỗ TO-46　FCI-InGaAs-500

OSI tốc độ cao InGaAs Photodiod. Dòng FCI-InGaAs-xxx, lấy từ OSI Optoelectronics, là các photodides tốc độ cao của InGaAs. Chúng rất lý tưởng cho các ứng dụng Datacom và Telecom. Những photodiodes tốc độ cao cung cấp điện dung thấp, tối hiện tại và có trách nhiệm cao, làm cho chúng phù hợp cho máy thu tốc độ bit cao được sử dụng trong LAN, MAN, WAN và các hệ thống truyền thông tốc độ cao khác. Họ photodiod này nằm trong các gói TO-46 cách ly 3 chân hoặc các gói thuốc 1 chân. Các ứng dụng phù hợp bao gồm; truyền thông quang tốc độ cao, máy thu sợi quang, Gigabit Ethernet và vòi quang .. Tính năng: Tốc độ cao Trách nhiệm cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm đến 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN-10D IR Si Photodiode, bề mặt gắn BNC　PIN-10D

OSI Photoconductive Series quang. Sê-ri quang dẫn điện, từ OSI Optoelectronics, là các quang điện silicon khuếch tán phẳng được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và độ nhạy cao. Phạm vi phổ của chúng (350-1100nm) làm cho sê-ri quang dẫn điện phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và gần IR. Những photodiod mục đích chung này phù hợp cho các ứng dụng bao gồm; máy dò xung, đầu đọc mã vạch, điều khiển từ xa quang học, truyền thông quang học, thiết bị y tế và đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt quang dẫn: Trách nhiệm cao Điện dung thấp Dòng điện tối thấp Dải động rộng

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, UV-035EQ UV Si Photodiode, thông qua lỗ TO-8　UV-035EQ

OSI UV tăng cường Dòng Photodiod. Loạt UV Enhanced, từ OSI Optoelectronics, là một loạt các photodiod silicon tăng cường UV. Loạt bài này bao gồm hai họ riêng biệt của photodiod, kênh đảo ngược và khuếch tán phẳng. Cả hai họ này được thiết kế để phát hiện tiếng ồn thấp trong khu vực UV của quang phổ điện từ. Gia đình cấu trúc lớp đảo ngược thể hiện hiệu suất lượng tử bên trong 100%. Cung cấp khả năng chống shunt cao, tiếng ồn thấp và điện áp phân hủy cao, họ photodiod này là ý tưởng cho các phép đo ánh sáng cường độ thấp. Photodiod với cấu trúc khuếch tán phẳng cung cấp một điện dung thấp hơn và thời gian đáp ứng cao hơn so với gia đình đảo ngược sau này. Chúng cũng cho thấy sự tuyến tính của quang điện lên đến công suất đầu vào ánh sáng cao hơn so với các photodiod lớp đảo ngược. Các ứng dụng phù hợp cho loạt UV Enhanced bao gồm; giám sát ô nhiễm, thiết bị y tế, máy đo phơi sáng UV, quang phổ, lọc nước và huỳnh quang .. Các tính năng của loạt UV nâng cao: Lớp đảo ngược hoặc photodiod silicon khuếch tán phẳng Phản ứng UV tuyệt vời

OSI Optoelectronics

FCI-H250G-InGaAs-70 OSI quang điện tử, 1650nm quang khuếch đại, thông qua lỗ TO-46 gói　FCI-H250G-InGaAs-70

OSI Optoelectronics

FCI-H125G-InGaAs-70 OSI quang điện tử, 1650nm quang dò khuếch đại, thông qua lỗ TO-46 gói　FCI-H125G-InGaAs-70

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-SPOT-4D Si Photodiode, Thông qua lỗ TO-5　PIN-SPOT-4D

OSI SPOT Series Phân đoạn Photodiod. Sê-ri SPOT của các photodiod chất nền phổ biến, từ OSI Optoelectronics, được phân đoạn thành các khu vực hoạt động riêng biệt với khoảng cách 0,127mm được xác định rõ giữa các phần tử lân cận. Photodiod SPOT Series có phạm vi phản ứng phổ 350-1100nm; Các bộ lọc thông qua notch hoặc band có thể được thêm vào để đạt được các phản ứng phổ cụ thể. Thông tin vị trí có thể thu được khi đường kính điểm sáng lớn hơn khoảng cách giữa các ô. Độ chính xác cao Độ phân giải vị trí tốt hơn 0,1μm Thời gian đáp ứng nhanh phù hợp với tốc độ cao hoặc hoạt động xung Ultra Low Dark Current Phản ứng tuyệt vời Phù hợp với độ ổn định cao theo thời gian và nhiệt độ Các ứng dụng bao gồm: Căn chỉnh máy công cụ, đo vị trí, định tâm chùm, định hình bề mặt và hệ thống hướng dẫn nhắm mục tiêu

OSI Optoelectronics

OSI Quang điện tử, Máy dò cảm biến vị trí PIN-DL-20C (PSD), thông qua lỗ　PIN-DL-20C

Máy dò cảm biến vị trí OSI (PSD). Họ máy dò cảm biến vị trí (PSD) này, từ OSI Optoelectronics, sử dụng công nghệ hai bên. Chúng cung cấp một đầu ra analog liên tục cung cấp độ chính xác vị trí cao trên phần lớn diện tích cảm biến. Một hoặc hai vị trí chiều có thể được đo bằng cách sử dụng phạm vi PSD này. Các ứng dụng thích hợp cho các máy dò cảm biến vị trí (PSD) bao gồm; căn chỉnh chùm, cảm biến vị trí, đo góc, đo chiều cao và phân tích chuyển động .. Tính năng: Siêu tuyến tính Độ chính xác cao Dải động rộng Độ tin cậy cao Cấu trúc bên

OSI Optoelectronics

OSI Quang điện tử, Máy dò cảm biến vị trí PIN-DL-20C (PSD), thông qua lỗ　PIN-DL-20C

Máy dò cảm biến vị trí OSI (PSD). Họ máy dò cảm biến vị trí (PSD) này, từ OSI Optoelectronics, sử dụng công nghệ hai bên. Chúng cung cấp một đầu ra analog liên tục cung cấp độ chính xác vị trí cao trên phần lớn diện tích cảm biến. Một hoặc hai vị trí chiều có thể được đo bằng cách sử dụng phạm vi PSD này. Các ứng dụng thích hợp cho các máy dò cảm biến vị trí (PSD) bao gồm; căn chỉnh chùm, cảm biến vị trí, đo góc, đo chiều cao và phân tích chuyển động .. Tính năng: Siêu tuyến tính Độ chính xác cao Dải động rộng Độ tin cậy cao Cấu trúc bên

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-040A IR Si Photodiode, thông qua lỗ TO-18　PIN-040A

OSI Photoconductive Series quang. Sê-ri quang dẫn điện, từ OSI Optoelectronics, là các quang điện silicon khuếch tán phẳng được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và độ nhạy cao. Phạm vi phổ của chúng (350-1100nm) làm cho sê-ri quang dẫn điện phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và gần IR. Những photodiod mục đích chung này phù hợp cho các ứng dụng bao gồm; máy dò xung, đầu đọc mã vạch, điều khiển từ xa quang học, truyền thông quang học, thiết bị y tế và đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt quang dẫn: Trách nhiệm cao Điện dung thấp Dòng điện tối thấp Dải động rộng

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-040A IR Si Photodiode, thông qua lỗ TO-18　PIN-040A

OSI Photoconductive Series quang. Sê-ri quang dẫn điện, từ OSI Optoelectronics, là các quang điện silicon khuếch tán phẳng được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và độ nhạy cao. Phạm vi phổ của chúng (350-1100nm) làm cho sê-ri quang dẫn điện phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và gần IR. Những photodiod mục đích chung này phù hợp cho các ứng dụng bao gồm; máy dò xung, đầu đọc mã vạch, điều khiển từ xa quang học, truyền thông quang học, thiết bị y tế và đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt quang dẫn: Trách nhiệm cao Điện dung thấp Dòng điện tối thấp Dải động rộng

OSI Optoelectronics

PIN-UDT-455 OSI Quang điện tử, Bộ khuếch đại quang điện hồng ngoại 970nm, Thông qua gói Hole TO-5　PIN-UDT-455

OSI Photops Photodiode-khuếch đại lai. Loạt Photops, từ OSI Optoelectronics, là các lai ghép quang điện-khuếch đại. Họ kết hợp một bộ khuếch đại hoạt động trong cùng một gói. Gói tích hợp của chúng đảm bảo độ ồn thấp trong một loạt các điều kiện hoạt động. Các ứng dụng phù hợp cho loạt Photops bao gồm; phát hiện ánh sáng mục đích chung, giám sát công suất laser, đầu đọc mã vạch, cảm biến điều khiển công nghiệp và hệ thống hướng dẫn .. Các tính năng của loạt Photops: Máy dò và bộ khuếch đại kết hợp Điều chỉnh độ lợi / băng thông Tiếng ồn thấp Gói DIP Khu vực hoạt động lớn

OSI Optoelectronics

PIN-UDT-455 OSI Quang điện tử, Bộ khuếch đại quang điện hồng ngoại 970nm, Thông qua gói Hole TO-5　PIN-UDT-455

OSI Photops Photodiode-khuếch đại lai. Loạt Photops, từ OSI Optoelectronics, là các lai ghép quang điện-khuếch đại. Họ kết hợp một bộ khuếch đại hoạt động trong cùng một gói. Gói tích hợp của chúng đảm bảo độ ồn thấp trong một loạt các điều kiện hoạt động. Các ứng dụng phù hợp cho loạt Photops bao gồm; phát hiện ánh sáng mục đích chung, giám sát công suất laser, đầu đọc mã vạch, cảm biến điều khiển công nghiệp và hệ thống hướng dẫn .. Các tính năng của loạt Photops: Máy dò và bộ khuếch đại kết hợp Điều chỉnh độ lợi / băng thông Tiếng ồn thấp Gói DIP Khu vực hoạt động lớn

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-1000 IR InGaAs Photodiode, Thông qua lỗ TO-46, TO-5　FCI-INGAAS-1000

OSI Khu vực hoạt động lớn InGaAs Photodiod. FCI-InGaAs-xxx-x series, từ OSI Quang điện tử, là khu vực hoạt động lớn InGaAs photodiod. Chúng là một loạt các máy dò nhạy cảm hồng ngoại cung cấp độ chịu trách nhiệm cao (1100-1620nm). Họ đến các gói TO-46 hoặc TO-5 với một cửa sổ phẳng. Các ứng dụng phù hợp cho họ photodiod này bao gồm; Thiết bị đo hồng ngoại, giám sát, thiết bị đo quang, đo điện, cảm biến hồng ngoại và các thiết bị y tế .. Tính năng: Khu vực hoạt động lớn: 1mm, 1.5mm và 3mm Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm - 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-5DI IR + Photodiode ánh sáng nhìn thấy được, thông qua lỗ TO-5　PIN-5DI

OSI Photoconductive Series quang. Sê-ri quang dẫn điện, từ OSI Optoelectronics, là các quang điện silicon khuếch tán phẳng được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và độ nhạy cao. Phạm vi phổ của chúng (350-1100nm) làm cho sê-ri quang dẫn điện phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và gần IR. Những photodiod mục đích chung này phù hợp cho các ứng dụng bao gồm; máy dò xung, đầu đọc mã vạch, điều khiển từ xa quang học, truyền thông quang học, thiết bị y tế và đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt quang dẫn: Trách nhiệm cao Điện dung thấp Dòng điện tối thấp Dải động rộng

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-5DI IR + Photodiode ánh sáng nhìn thấy được, thông qua lỗ TO-5　PIN-5DI

OSI Photoconductive Series quang. Sê-ri quang dẫn điện, từ OSI Optoelectronics, là các quang điện silicon khuếch tán phẳng được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và độ nhạy cao. Phạm vi phổ của chúng (350-1100nm) làm cho sê-ri quang dẫn điện phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và gần IR. Những photodiod mục đích chung này phù hợp cho các ứng dụng bao gồm; máy dò xung, đầu đọc mã vạch, điều khiển từ xa quang học, truyền thông quang học, thiết bị y tế và đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt quang dẫn: Trách nhiệm cao Điện dung thấp Dòng điện tối thấp Dải động rộng

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-Q3000 InGaAs Photodiode, thông qua lỗ TO-8　FCI-INGAAS-Q3000

OSI Khu vực hoạt động lớn InGaAs Photodiod. FCI-InGaAs-xxx-x series, từ OSI Quang điện tử, là khu vực hoạt động lớn InGaAs photodiod. Chúng là một loạt các máy dò nhạy cảm hồng ngoại cung cấp độ chịu trách nhiệm cao (1100-1620nm). Họ đến các gói TO-46 hoặc TO-5 với một cửa sổ phẳng. Các ứng dụng phù hợp cho họ photodiod này bao gồm; Thiết bị đo hồng ngoại, giám sát, thiết bị đo quang, đo điện, cảm biến hồng ngoại và các thiết bị y tế .. Tính năng: Khu vực hoạt động lớn: 1mm, 1.5mm và 3mm Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm - 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-Q3000 InGaAs Photodiode, thông qua lỗ TO-8　FCI-InGaAs-Q3000

OSI Khu vực hoạt động lớn InGaAs Photodiod. FCI-InGaAs-xxx-x series, từ OSI Quang điện tử, là khu vực hoạt động lớn InGaAs photodiod. Chúng là một loạt các máy dò nhạy cảm hồng ngoại cung cấp độ chịu trách nhiệm cao (1100-1620nm). Họ đến các gói TO-46 hoặc TO-5 với một cửa sổ phẳng. Các ứng dụng phù hợp cho họ photodiod này bao gồm; Thiết bị đo hồng ngoại, giám sát, thiết bị đo quang, đo điện, cảm biến hồng ngoại và các thiết bị y tế .. Tính năng: Khu vực hoạt động lớn: 1mm, 1.5mm và 3mm Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm - 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN DL-4 Si Photodiode, thông qua lỗ TO-8　PIN DL-4

Máy dò cảm biến vị trí OSI (PSD). Họ máy dò cảm biến vị trí (PSD) này, từ OSI Optoelectronics, sử dụng công nghệ hai bên. Chúng cung cấp một đầu ra analog liên tục cung cấp độ chính xác vị trí cao trên phần lớn diện tích cảm biến. Một hoặc hai vị trí chiều có thể được đo bằng cách sử dụng phạm vi PSD này. Các ứng dụng thích hợp cho các máy dò cảm biến vị trí (PSD) bao gồm; căn chỉnh chùm, cảm biến vị trí, đo góc, đo chiều cao và phân tích chuyển động .. Tính năng: Siêu tuyến tính Độ chính xác cao Dải động rộng Độ tin cậy cao Cấu trúc bên

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN DL-4 Si Photodiode, thông qua lỗ TO-8　PIN DL-4

Máy dò cảm biến vị trí OSI (PSD). Họ máy dò cảm biến vị trí (PSD) này, từ OSI Optoelectronics, sử dụng công nghệ hai bên. Chúng cung cấp một đầu ra analog liên tục cung cấp độ chính xác vị trí cao trên phần lớn diện tích cảm biến. Một hoặc hai vị trí chiều có thể được đo bằng cách sử dụng phạm vi PSD này. Các ứng dụng thích hợp cho các máy dò cảm biến vị trí (PSD) bao gồm; căn chỉnh chùm, cảm biến vị trí, đo góc, đo chiều cao và phân tích chuyển động .. Tính năng: Siêu tuyến tính Độ chính xác cao Dải động rộng Độ tin cậy cao Cấu trúc bên

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN-SPOT-9DMI Si Photodiode, thông qua lỗ cấu hình thấp　PIN-SPOT-9DMI

OSI SPOT Series Phân đoạn Photodiod. Sê-ri SPOT của các photodiod chất nền phổ biến, từ OSI Optoelectronics, được phân đoạn thành các khu vực hoạt động riêng biệt với khoảng cách 0,127mm được xác định rõ giữa các phần tử lân cận. Photodiod SPOT Series có phạm vi phản ứng phổ 350-1100nm; Các bộ lọc thông qua notch hoặc band có thể được thêm vào để đạt được các phản ứng phổ cụ thể. Thông tin vị trí có thể thu được khi đường kính điểm sáng lớn hơn khoảng cách giữa các ô. Độ chính xác cao Độ phân giải vị trí tốt hơn 0,1μm Thời gian đáp ứng nhanh phù hợp với tốc độ cao hoặc hoạt động xung Ultra Low Dark Current Phản ứng tuyệt vời Phù hợp với độ ổn định cao theo thời gian và nhiệt độ Các ứng dụng bao gồm: Căn chỉnh máy công cụ, đo vị trí, định tâm chùm, định hình bề mặt và hệ thống hướng dẫn nhắm mục tiêu

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN-SPOT-9DMI Si Photodiode, thông qua lỗ cấu hình thấp　PIN-SPOT-9DMI

OSI SPOT Series Phân đoạn Photodiod. Sê-ri SPOT của các photodiod chất nền phổ biến, từ OSI Optoelectronics, được phân đoạn thành các khu vực hoạt động riêng biệt với khoảng cách 0,127mm được xác định rõ giữa các phần tử lân cận. Photodiod SPOT Series có phạm vi phản ứng phổ 350-1100nm; Các bộ lọc thông qua notch hoặc band có thể được thêm vào để đạt được các phản ứng phổ cụ thể. Thông tin vị trí có thể thu được khi đường kính điểm sáng lớn hơn khoảng cách giữa các ô. Độ chính xác cao Độ phân giải vị trí tốt hơn 0,1μm Thời gian đáp ứng nhanh phù hợp với tốc độ cao hoặc hoạt động xung Ultra Low Dark Current Phản ứng tuyệt vời Phù hợp với độ ổn định cao theo thời gian và nhiệt độ Các ứng dụng bao gồm: Căn chỉnh máy công cụ, đo vị trí, định tâm chùm, định hình bề mặt và hệ thống hướng dẫn nhắm mục tiêu

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-120 InGaAs Photodiode, thông qua lỗ TO-46　FCI-InGaAs-120

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-500 InGaAs Photodiode, thông qua lỗ TO-46　FCI-INGAAS-500

OSI tốc độ cao InGaAs Photodiod. Dòng FCI-InGaAs-xxx, lấy từ OSI Optoelectronics, là các photodides tốc độ cao của InGaAs. Chúng rất lý tưởng cho các ứng dụng Datacom và Telecom. Những photodiodes tốc độ cao cung cấp điện dung thấp, tối hiện tại và có trách nhiệm cao, làm cho chúng phù hợp cho máy thu tốc độ bit cao được sử dụng trong LAN, MAN, WAN và các hệ thống truyền thông tốc độ cao khác. Họ photodiod này nằm trong các gói TO-46 cách ly 3 chân hoặc các gói thuốc 1 chân. Các ứng dụng phù hợp bao gồm; truyền thông quang tốc độ cao, máy thu sợi quang, Gigabit Ethernet và vòi quang .. Tính năng: Tốc độ cao Trách nhiệm cao Tiếng ồn thấp Phạm vi phổ: 900nm đến 1700nm

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN-10D IR Si Photodiode, bề mặt gắn BNC　PIN-10D

OSI Photoconductive Series quang. Sê-ri quang dẫn điện, từ OSI Optoelectronics, là các quang điện silicon khuếch tán phẳng được thiết kế cho các ứng dụng tốc độ cao và độ nhạy cao. Phạm vi phổ của chúng (350-1100nm) làm cho sê-ri quang dẫn điện phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và gần IR. Những photodiod mục đích chung này phù hợp cho các ứng dụng bao gồm; máy dò xung, đầu đọc mã vạch, điều khiển từ xa quang học, truyền thông quang học, thiết bị y tế và đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt quang dẫn: Trách nhiệm cao Điện dung thấp Dòng điện tối thấp Dải động rộng

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-UV-100DQC UV Si Photodiode, thông qua lỗ gốm　PIN-UV-100DQC

OSI UV tăng cường Dòng Photodiod. Loạt UV Enhanced, từ OSI Optoelectronics, là một loạt các photodiod silicon tăng cường UV. Loạt bài này bao gồm hai họ riêng biệt của photodiod, kênh đảo ngược và khuếch tán phẳng. Cả hai họ này được thiết kế để phát hiện tiếng ồn thấp trong khu vực UV của quang phổ điện từ. Gia đình cấu trúc lớp đảo ngược thể hiện hiệu suất lượng tử bên trong 100%. Cung cấp khả năng chống shunt cao, tiếng ồn thấp và điện áp phân hủy cao, họ photodiod này là ý tưởng cho các phép đo ánh sáng cường độ thấp. Photodiod với cấu trúc khuếch tán phẳng cung cấp một điện dung thấp hơn và thời gian đáp ứng cao hơn so với gia đình đảo ngược sau này. Chúng cũng cho thấy sự tuyến tính của quang điện lên đến công suất đầu vào ánh sáng cao hơn so với các photodiod lớp đảo ngược. Các ứng dụng phù hợp cho loạt UV Enhanced bao gồm; giám sát ô nhiễm, thiết bị y tế, máy đo phơi sáng UV, quang phổ, lọc nước và huỳnh quang .. Các tính năng của loạt UV nâng cao: Lớp đảo ngược hoặc photodiod silicon khuếch tán phẳng Phản ứng UV tuyệt vời

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-UV-100DQC UV Si Photodiode, thông qua lỗ gốm　PIN-UV-100DQC

OSI UV tăng cường Dòng Photodiod. Loạt UV Enhanced, từ OSI Optoelectronics, là một loạt các photodiod silicon tăng cường UV. Loạt bài này bao gồm hai họ riêng biệt của photodiod, kênh đảo ngược và khuếch tán phẳng. Cả hai họ này được thiết kế để phát hiện tiếng ồn thấp trong khu vực UV của quang phổ điện từ. Gia đình cấu trúc lớp đảo ngược thể hiện hiệu suất lượng tử bên trong 100%. Cung cấp khả năng chống shunt cao, tiếng ồn thấp và điện áp phân hủy cao, họ photodiod này là ý tưởng cho các phép đo ánh sáng cường độ thấp. Photodiod với cấu trúc khuếch tán phẳng cung cấp một điện dung thấp hơn và thời gian đáp ứng cao hơn so với gia đình đảo ngược sau này. Chúng cũng cho thấy sự tuyến tính của quang điện lên đến công suất đầu vào ánh sáng cao hơn so với các photodiod lớp đảo ngược. Các ứng dụng phù hợp cho loạt UV Enhanced bao gồm; giám sát ô nhiễm, thiết bị y tế, máy đo phơi sáng UV, quang phổ, lọc nước và huỳnh quang .. Các tính năng của loạt UV nâng cao: Lớp đảo ngược hoặc photodiod silicon khuếch tán phẳng Phản ứng UV tuyệt vời

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, APD15-8-150-TO5 IR Si Photodiode, thông qua lỗ TO-5　APD15-8-150-TO5

OSI APD Dòng 8-150 Silicon Avalanche Photodides. Dòng APD 8-150, từ OSI Optoelectronics, là một họ các photodiod lở tuyết silicon, được tối ưu hóa để hoạt động với bước sóng 800nm. Chúng có trong các gói kim loại kín với các tùy chọn đường kính khu vực hoạt động 0,2, 0,5, 1 hoặc 1,5mm. Các photodiod loạt APD 8-150 cung cấp tiếng ồn thấp và độ nhạy cao trên băng thông lên đến 1GHz. Các ứng dụng phù hợp cho photodiod APD 8-150 bao gồm; truyền thông sợi quang, công cụ tìm phạm vi laser và phép đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt APD 8-150: Gói: TO-52 và TO-5 Hệ số nhiệt độ thấp: 0,45 V/°C Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Băng thông cao Nhiệt độ hoạt động: -40 ° C do +100 ° C

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, APD15-8-150-TO5 IR Si Photodiode, thông qua lỗ TO-5　APD15-8-150-TO5

OSI APD Dòng 8-150 Silicon Avalanche Photodides. Dòng APD 8-150, từ OSI Optoelectronics, là một họ các photodiod lở tuyết silicon, được tối ưu hóa để hoạt động với bước sóng 800nm. Chúng có trong các gói kim loại kín với các tùy chọn đường kính khu vực hoạt động 0,2, 0,5, 1 hoặc 1,5mm. Các photodiod loạt APD 8-150 cung cấp tiếng ồn thấp và độ nhạy cao trên băng thông lên đến 1GHz. Các ứng dụng phù hợp cho photodiod APD 8-150 bao gồm; truyền thông sợi quang, công cụ tìm phạm vi laser và phép đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt APD 8-150: Gói: TO-52 và TO-5 Hệ số nhiệt độ thấp: 0,45 V/°C Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Băng thông cao Nhiệt độ hoạt động: -40 ° C do +100 ° C

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, APD05-8-150-T52L IR Si Photodiode, thông qua lỗ TO-52　APD05-8-150-T52L

OSI APD Dòng 8-150 Silicon Avalanche Photodides. Dòng APD 8-150, từ OSI Optoelectronics, là một họ các photodiod lở tuyết silicon, được tối ưu hóa để hoạt động với bước sóng 800nm. Chúng có trong các gói kim loại kín với các tùy chọn đường kính khu vực hoạt động 0,2, 0,5, 1 hoặc 1,5mm. Các photodiod loạt APD 8-150 cung cấp tiếng ồn thấp và độ nhạy cao trên băng thông lên đến 1GHz. Các ứng dụng phù hợp cho photodiod APD 8-150 bao gồm; truyền thông sợi quang, công cụ tìm phạm vi laser và phép đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt APD 8-150: Gói: TO-52 và TO-5 Hệ số nhiệt độ thấp: 0,45 V/°C Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Băng thông cao Nhiệt độ hoạt động: -40 ° C do +100 ° C

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, APD05-8-150-T52L IR Si Photodiode, thông qua lỗ TO-52　APD05-8-150-T52L

OSI APD Dòng 8-150 Silicon Avalanche Photodides. Dòng APD 8-150, từ OSI Optoelectronics, là một họ các photodiod lở tuyết silicon, được tối ưu hóa để hoạt động với bước sóng 800nm. Chúng có trong các gói kim loại kín với các tùy chọn đường kính khu vực hoạt động 0,2, 0,5, 1 hoặc 1,5mm. Các photodiod loạt APD 8-150 cung cấp tiếng ồn thấp và độ nhạy cao trên băng thông lên đến 1GHz. Các ứng dụng phù hợp cho photodiod APD 8-150 bao gồm; truyền thông sợi quang, công cụ tìm phạm vi laser và phép đo quang tốc độ cao .. Các tính năng của loạt APD 8-150: Gói: TO-52 và TO-5 Hệ số nhiệt độ thấp: 0,45 V/°C Độ nhạy cao Tiếng ồn thấp Băng thông cao Nhiệt độ hoạt động: -40 ° C do +100 ° C

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, FCI-InGaAs-Q1000 InGaAs Photodiode, thông qua lỗ TO-5　FCI-InGaAs-Q1000

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, UV-100L Si Photodiode, thông qua lỗ thấp hồ sơ　UV-100L

OSI Optoelectronics

OSI quang điện tử, PIN-RD100 Visible Light Si Photodiode, thông qua lỗ gốm　PIN-RD100

OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics, PIN-RD15 Ánh sáng nhìn thấy Si Photodiode, Thông qua lỗ TO-8　PIN-RD15

OSI Optoelectronics

［Đã ngừng］OSI Optoelectronics, OSD15-5T Si Photodiode, thông qua lỗ TO-8 gói　OSD15-5T

OSI Optoelectronics

［Đã ngừng］OSI Optoelectronics, PIN-25DP Ánh sáng nhìn thấy Si Photodiode, Surface Mount BNC　PIN-25DP

Những photodiod này không được thiết kế để đảo ngược thiên vị, áp dụng một thiên vị ngược của hơn một vài volts (> 3V) sẽ làm hỏng vĩnh viễn chúng. OSI Photovaltic Dòng Photodiodes. Loạt quang điện, từ OSI Optoelectronics, là các photodiod silic khuếch tán phẳng. Các photodiod mục đích chung này là lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi độ nhạy cao và tốc độ phản ứng vừa phải. Phạm vi phản ứng quang phổ của chúng (350-1100nm) làm cho loạt quang điện thông thường phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và IR. Loạt quang điện cung cấp khả năng chống shunt cao và tiếng ồn thấp. Chúng cũng cho thấy sự ổn định lâu dài. Các ứng dụng phù hợp cho loạt quang điện, bao gồm; máy đo màu, quang kế, thiết bị quang phổ và huỳnh quang .. Các tính năng của loạt quang điện: Tiếng ồn cực thấp Sức đề kháng shunt cao Rộng năng động Xanh tăng cường

OSI Optoelectronics

［Đã ngừng］OSI Optoelectronics, PIN-25DP Ánh sáng nhìn thấy Si Photodiode, Surface Mount BNC　PIN-25DP

Những photodiod này không được thiết kế để đảo ngược thiên vị, áp dụng một thiên vị ngược của hơn một vài volts (> 3V) sẽ làm hỏng vĩnh viễn chúng. OSI Photovaltic Dòng Photodiodes. Loạt quang điện, từ OSI Optoelectronics, là các photodiod silic khuếch tán phẳng. Các photodiod mục đích chung này là lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi độ nhạy cao và tốc độ phản ứng vừa phải. Phạm vi phản ứng quang phổ của chúng (350-1100nm) làm cho loạt quang điện thông thường phù hợp cho các ứng dụng có thể nhìn thấy và IR. Loạt quang điện cung cấp khả năng chống shunt cao và tiếng ồn thấp. Chúng cũng cho thấy sự ổn định lâu dài. Các ứng dụng phù hợp cho loạt quang điện, bao gồm; máy đo màu, quang kế, thiết bị quang phổ và huỳnh quang .. Các tính năng của loạt quang điện: Tiếng ồn cực thấp Sức đề kháng shunt cao Rộng năng động Xanh tăng cường