[Infineon] 所有产品
实验室仪器和用品
-
手套 (PVC)
-
IPT004N03LATMA1N通道MOSFET, 300 A, 30 V OptiMOS,8+TabPinHSOF英飞凌 IPT004N03LATMA1
英飞凌OptiMOSTM功率MOSFET系列。OptiMOSTM产品采用高性能封装，可应对最具挑战性的应用，在有限的空间内提供充分的灵活性。英飞凌的这些产品旨在满足并超越计算应用中日益尖锐的下一代电压调节标准对能源效率和功率密度的要求。N沟道-增强模式Automotive AECQ101合格MSL 1可达260°C峰值回流175°C工作温度绿色封装 (无铅) 超低转速 (ON)
1找到 产品
JPY: 1,760
USD: 11.03
-
英飞凌1EDI20N12AFXUMA1双电绝缘MOSFET电源驱动器， -3.5 A, 4 A 8针，DSO 1EDI20N12AFXUMA1
EiceDRIVER隔离MOSFET和IGBT栅极驱动器。输入输出隔离电压宽输入分离源和汇输出工作电压在交流电机和无刷直流电机驱动器中的应用
1找到 产品
JPY: 1,590
USD: 9.97
-
英飞凌TLV493D系列电流传感器，标称电流3.7 mA TLV493DA1B6HTSA2
TLV493D-A1B6三维磁性传感器。英飞凌的TLV493D-A1B6系列是一个3D磁性传感器系列。这些器件提供精确的3D传感，功耗极低。TLV493D-A1B6磁传感器可以检测x、y和z方向的磁场。适合的应用程序包括;操纵杆，游戏手柄，电子表，白色家电控制元件等。特点和优点:集成温度感应低电流消耗工作电源电压:2.7 V至3.5 V数字输出I2C接口
1找到 产品
JPY: 1,300
USD: 8.15
-
BSP135H6327XTSA1 N沟道MOSFET, 120 mA, 600 V耗损SIPMOS,3+Tab-PinSOT-223英飞凌 BSP135H6327XTSA1
英飞凌SIPMOS®N-ChannelMOSFET
1找到 产品
JPY: 340
USD: 2.13
-
BSP149H6327XTSA1 N沟道MOSFET, 660 mA, 200 V耗损SIPMOS,3+Tab-PinSOT-223英飞凌 BSP149H6327XTSA1
英飞凌SIPMOS®N-ChannelMOSFET
1找到 产品
JPY: 340
USD: 2.13
-
SPW20N60S5FKSA1 N通道MOSFET, 20 A, 600 V CoolMOS S 5, 3针TO-247英飞凌 SPW20N60S5FKSA1
英飞凌CoolMOSTMS5功率MOSFET系列
1找到 产品
JPY: 1,390
USD: 8.71
-
英飞凌BFR92PE6327HTSA1NPN晶体管，45 mA, 15 V,3-PinSOT-23 BFR92PE6327HTSA1
射频双极晶体管，英飞凌
1找到 产品
JPY: 310
USD: 1.94
-
BSP89H6327XTSA1 N通道MOSFET, 350 mA, 240 V SIPMOS,3+TabPinSOT-223英飞凌 BSP89H6327XTSA1
英飞凌SIPMOS®N-ChannelMOSFET
1找到 产品
JPY: 500
USD: 3.13
-
SPW20N60C3FKSA1 N沟道MOSFET, 21 A, 650 V CoolMOS C3,3-PinTO-247英飞凌 SPW20N60C3FKSA1
英飞凌CoolMOSTMC3功率MOSFET
1找到 产品
JPY: 1,050
USD: 6.58
-
SPW47N60C3FKSA1 N沟道MOSFET, 47 A, 650 V CoolMOS C 3, 3针TO-247英飞凌 SPW47N60C3FKSA1
英飞凌CoolMOSTMC3功率MOSFET
1找到 产品
JPY: 2,560
USD: 16.05
-
英飞凌BB640E6327HTSA1变频器，62pF分，19.5:1调谐比，30V,2PinSOD-323 BB640E6327HTSA1
Varicap二极管/Varactor二极管，英飞凌。可变电容二极管，通常称为Varicap、Varactor或Tuning二极管，在许多需要电压变化引起电容变化的应用中非常有用。它们适用于广泛的应用，包括射频调谐、电压控制振荡器和滤波器、频率合成器和乘法器。
1找到 产品
JPY: 720
USD: 4.51
-
IRFZ34NPBFN沟道MOSFET, 29 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRFZ34NPBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 110
USD: 0.69
-
IRFZ44NPBFN通道MOSFET, 49 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRFZ44NPBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 320
USD: 2.01
-
IRF3205PBFN沟道MOSFET, 110 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF3205PBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 330
USD: 2.07
-
IRF4905PBFP通道MOSFET, 74 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF4905PBF
P通道功率MOSFET40V至55V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 360
USD: 2.26
-
IRF3710PBFN通道MOSFET, 57 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF3710PBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 510
USD: 3.20
-
IRFZ48NPBFN通道MOSFET, 64 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRFZ48NPBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 160
USD: 1.00
-
IRF640NPBFN沟道MOSFET, 18 A, 200 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF640NPBF
N通道功率MOSFET150V至600V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 380
USD: 2.38
-
IRLZ44NPBFN通道MOSFET, 47 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRLZ44NPBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 300
USD: 1.88
-
英飞凌IR2111PBF双半桥MOSFET电源驱动，0.5A8针，PDIP IR2111PBF
MOSFET;IGBT栅极驱动器，半桥，英飞凌。来自英飞凌的栅极驱动IC,以半桥配置控制MOSFET或IGBT功率器件。
1找到 产品
JPY: 540
USD: 3.39
-
IRF530NPBFN通道MOSFET, 17 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF530NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 180
USD: 1.13
-
IRFZ24NPBFN沟道MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRFZ24NPBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 99
USD: 0.62
-
IRF9Z24NPBFP通道MOSFET, 12 A, 55 V HEXFET, 3针TO-220AB英飞凌 IRF9Z24NPBF
P通道功率MOSFET40V至55V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 130
USD: 0.82
-
IRF9Z34NPBFP通道MOSFET, 19 A, 55 V HEXFET, 3针TO-220AB英飞凌 IRF9Z34NPBF
P通道功率MOSFET40V至55V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 260
USD: 1.63
-
IRF9530NPBFP通道MOSFET, 14 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF9530NPBF
P通道功率MOSFET100V至150V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 280
USD: 1.76
-
IRFP150NPBFN通道MOSFET, 42 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-247AC英飞凌 IRFP150NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 530
USD: 3.32
-
IRF520NPBFN通道MOSFET, 9.7 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF520NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 140
USD: 0.88
-
IRL530NPBFN通道MOSFET, 17 A, 100 V逻辑FET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRL530NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 340
USD: 2.13
-
IRL540NPBFN通道MOSFET, 36 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRL540NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 390
USD: 2.45
-
IRFP054NPBFN沟道MOSFET, 81 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-247AC英飞凌 IRFP054NPBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 700
USD: 4.39
-
IRFP140NPBFN沟道MOSFET, 33 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-247AC英飞凌 IRFP140NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 570
USD: 3.57
-
IRF1310NPBFN沟道MOSFET, 42 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF1310NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 550
USD: 3.45
-
IRFP3710PBFN沟道MOSFET, 57 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-247AC英飞凌 IRFP3710PBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 460
USD: 2.88
-
IRFU120NPBFN通道MOSFET, 9.4 A, 100 V HEXFET,3针IPAK英飞凌 IRFU120NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 210
USD: 1.32
-
IRF5305PBFP通道MOSFET, 31 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF5305PBF
P通道功率MOSFET40V至55V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 370
USD: 2.32
-
IRFI540NPBFN通道MOSFET, 20 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220英飞凌 IRFI540NPBF
N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 420
USD: 2.63
-
英飞凌IR2113SPBF双高低侧MOSFET电源驱动器，2.5A 16针，SOIC W IR2113SPBF
MOSFET;IGBT栅极驱动器，高侧和低侧，英飞凌。来自英飞凌的栅极驱动IC,用于控制高侧和低侧配置的MOSFET或IGBT功率器件。
1找到 产品
JPY: 1,020
USD: 6.39
-
IRF3415PBFN通道MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRF3415PBF
N通道功率MOSFET150V至600V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 350
USD: 2.19
-
IRFI3205PBFN通道MOSFET, 64 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220英飞凌 IRFI3205PBF
N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 740
USD: 4.64
-
IRFP260NPBFN通道MOSFET, 50 A, 200 V HEXFET,3引脚TO-247AC英飞凌 IRFP260NPBF
N通道功率MOSFET150V至600V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件，几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1找到 产品
JPY: 1,030
USD: 6.46
