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63-4866-13 IRFZ24NPBFN沟道MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRFZ24NPBF

功能

  • N通道功率MOSFET55V,英飞凌。英飞凌的一系列分立式HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装、引线封装和外形尺寸的N沟道器件,几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

规格

  • 数量:1件
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:17 A
  • 最大漏源电压:55 V
  • 最大泄漏源电阻:70 mΩ
  • 最大门限电压:4V
  • 最小门限电压:2V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 包装类型:TO-220AB
  • 安装类型:通孔
  • 销数:3
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:45 W
  • 最低工作温度:-55°C
  • 代码号:541-0761
  •  
第号命令。 63-4866-13
型号号。 IRFZ24NPBF
标准价格 JPY: 99 USD: 0.62
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
数量 1piece
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