[Wolfspeed]Bộ phận điện tử/điện và thiết bị điều khiển
Bộ lọc
- theo nhóm Sản phẩm
- theo Sản phẩm
Sắp xếp theo:
-
Wolfspeed 600V 2A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D02060A C3D02060A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 690
USD: 4.33
-
Tốc độ Wolfspeed 600V 4A, Diode SiC Schottky, 3-Pin DPAK C3D04060E C3D04060E
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 560
USD: 3.51
-
Wolfspeed 600V 4A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D04060A C3D04060A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 490
USD: 3.07
-
Wolfspeed 600V 10A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D10060A C3D10060A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 1,100
USD: 6.90
-
C2M0080120D SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C2M0080120D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 6,990
USD: 43.82
-
Tốc độ Wolfspeed 1200V 38A, Diode Schottky kép SiC, 3 chân TO-247 C4D10120D C4D10120D
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 2,120
USD: 13.29
-
Wolfspeed 1200V 14A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C4D10120A C4D10120A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 1,760
USD: 11.03
-
Wolfspeed 600V 5A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D03060F C3D03060F
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 830
USD: 5.20
-
Wolfspeed 1200V 10A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C4D02120A C4D02120A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 3,100
USD: 19.43
-
Wolfspeed 600V 4A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D02060F C3D02060F
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 2,030
USD: 12.73
-
C2M0160120D SiC N-Channel MOSFET, 19 A, 1200 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C2M0160120D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 3,730
USD: 23.38
-
C2M0025120D SiC N-Channel MOSFET, 90 A, 1200 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C2M0025120D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 21,700
USD: 136.03
-
C3M0065090D SiC MOSFET kênh N, 36 A, 900 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C3M0065090D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 4,470
USD: 28.02
-
C2M0080120D SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C2M0080120D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 200,000
USD: 1,253.68
-
C3M0065100K SiC MOSFET kênh N, 35 A, 1000 V C3M, 4 chân TO-247 Wolfspeed C3M0065100K
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET Technology Drain-to-Source Breakdown Voltage (Full Operating Temperature Range): 1000 V or More New Low Impedance Package (with Driver Source) Drain-to-Source Creepage Distance/Clearance: 8 mm Fast Switching at Low Power Capacitance High Voltage Avalanche Durability with Low ON Resistance Drain-to-Source High Speed Intrinsic Diode with Ultra-Low Reverse Recovery Loss1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 4,760
USD: 29.84
-
Wolfspeed 600V 4A, SiC 쇼트키 다이오드, 2-핀 TO-220 C3D04060A C3D04060A
Z-Rec™ 실리콘 카바이드 쇼트키다이오드, 볼프스피드. 볼프스피드 실리콘 카바이드(Wolfspeed SiC, Silicon Carbide) 쇼트키 다이오드의 범위는 표준 쇼트키 장벽 다이오드에 비해 상당한 개선을 제공한다. SiC 다이오드는 훨씬 더 높은 항복 필드 강도(breakdown field strength) 및 더 큰 열전도성을 제공하며, 높은 스위칭 주파수에서의 전력 손실의 상당한 감소와 결합된다. Sic 다이오드는 스위치 모드 전원 공급 장치와 고속 인버터 등 고효율 고전압 응용분야에서 완벽한 선택입니다. ; 600, 650, 1200 및 1700 전압 등급, 제로 역복구 전류 및 정방향 복구 전압 온도 독립적인 스위칭 동작 운영 중단 없이 스위칭 시간이 매우 빠름 양의 온도계수 순방향 전압 열 폭주 없이 장치를 병렬로 연결할 수 있습니다. 히트싱크 요구 사항 감소 PFC 부스트 다이오드 어플리케이션에 최적화
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 11,900
USD: 74.59
-
Wolfspeed 1200V 4.5A, SiC Diode Schottky, 3-Pin DPAK C4D02120E C4D02120E
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 2,970
USD: 18.62
-
Wolfspeed 600V 4A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D02060F C3D02060F
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 10,200
USD: 63.94
-
C3M0065100K SiC MOSFET kênh N, 35 A, 1000 V C3M, 4 chân TO-247 Wolfspeed C3M0065100K
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc. Công nghệ Silicon Carbide (SiC) mới của C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET Tối thiểu 1000 V Điện áp phân tích nguồn thoát nước trên toàn bộ phạm vi nhiệt độ hoạt động Gói trở kháng thấp mới với nguồn trình điều khiển 8 mm creepage/giải phóng giữa Drain và nguồn Chuyển đổi tốc độ cao với điện dung thấp Sức đề kháng của nhà nước Avalanche chắc chắn Diode nội tại nhanh với Phục hồi ngược thấp
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 144,000
USD: 902.65
-
Tốc độ Wolfspeed 600V 4A, Diode SiC Schottky, 3-Pin DPAK C3D04060E C3D04060E
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 17,700
USD: 110.95
-
Wolfspeed 600V 3A, SiC Diode Schottky, 3-Pin DPAK C3D03060E C3D03060E
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 13,200
USD: 82.74
-
Wolfspeed 600V 3A, SiC Diode Schottky, 3-Pin DPAK C3D03060E C3D03060E
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 550
USD: 3.45
-
Wolfspeed 600V 6A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D06060A C3D06060A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 20,100
USD: 126.00
-
Wolfspeed 600V 6A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D06060A C3D06060A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 860
USD: 5.39
-
Tốc độ Wolfspeed 600V 6A, Diode Schottky SiC, 3-Pin D2PAK C3D06060G C3D06060G
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 17,800
USD: 111.58
-
Tốc độ Wolfspeed 600V 6A, Diode Schottky SiC, 3-Pin D2PAK C3D06060G C3D06060G
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 370
USD: 2.32
-
Tốc độ Wolfspeed 600V 8A, Diode Schottky SiC, D2PAK 3 chân C3D08060G C3D08060G
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 513,000
USD: 3,215.70
-
Tốc độ Wolfspeed 1200V 38A, Diode Schottky kép SiC, 3 chân TO-247 C4D10120D C4D10120D
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 38,700
USD: 242.59
-
C2M0160120D SiC N-Channel MOSFET, 19 A, 1200 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C2M0160120D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 89,000
USD: 557.89
-
C2M0025120D SiC N-Channel MOSFET, 90 A, 1200 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C2M0025120D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 645,000
USD: 4,043.13
-
C3M0065090J SiC MOSFET kênh N, 35 A, 900 V, Tốc độ sói 7 chân D2PAK C3M0065090J
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 4,570
USD: 28.65
-
C2M1000170J SiC N-Channel MOSFET, 5,3 A, 1700 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C2M1000170J
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 5,350
USD: 33.54
-
C3M0280090D SiC MOSFET kênh N, 11,5 A, 900 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C3M0280090D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 34,600
USD: 216.89
-
C3M0280090D SiC MOSFET kênh N, 11,5 A, 900 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C3M0280090D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 3,940
USD: 24.70
-
C3M0120090D SiC MOSFET kênh N, 23 A, 900 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C3M0120090D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 59,600
USD: 373.60
-
C3M0120090D SiC MOSFET kênh N, 23 A, 900 V, 3 chân TO-247 Wolfspeed C3M0120090D
Tốc độ cao Silicon Carbide Power MOSFET. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFET. Một loạt các MOSFET thế hệ thứ hai từ bộ phận quyền lực Wolfspeed của Cree cung cấp mật độ năng lượng hàng đầu trong ngành và hiệu quả chuyển mạch. Các thiết bị điện dung thấp cho phép tần số chuyển mạch cao hơn và đã giảm yêu cầu làm mát cải thiện hiệu quả hoạt động của hệ thống tổng thể. ; Chế độ tăng cường Công nghệ SiC kênh N; Điện áp phân tích nguồn xả cao - lên tới 1200V; Nhiều thiết bị dễ dàng song song và đơn giản để lái xe; Chuyển đổi tốc độ cao với điện trở thấp; Hoạt động chống latch-up
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 3,140
USD: 19.68
-
Wolfspeed 650V 24A, Diode Schottky SiC, 2 chân TO-220 C3D08065A C3D08065A
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 1,930
USD: 12.10
-
Wolfspeed 650V 32A, SiC Diode Schottky, 3-Pin DPAK C3D10065E C3D10065E
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 5,950
USD: 37.30
-
Wolfspeed 650V 59A, Diode Schottky kép SiC, 3 chân TO-247 C3D20065D C3D20065D
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 37,000
USD: 231.93
-
Wolfspeed 650V 59A, Diode Schottky kép SiC, 3 chân TO-247 C3D20065D C3D20065D
Z-Rec™ Silicon Carbide Điốt Schottky, Wolfspeed. Một loạt các điốt Schottky Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) cung cấp những cải tiến đáng kể so với các điốt rào cản tiêu chuẩn Schottky. Các điốt SiC cung cấp độ bền trường phá vỡ cao hơn nhiều và độ dẫn nhiệt lớn hơn cùng với sự giảm đáng kể mất điện ở tần số chuyển mạch cao. Điốt Sic là sự lựa chọn hoàn hảo trong các ứng dụng hiệu quả cao, điện áp cao như nguồn cung cấp năng lượng chuyển đổi chế độ và biến tần tốc độ cao. ; 600, 650, 1200 và 1700 Xếp hạng điện áp; Zero phục hồi ngược hiện tại và điện áp phục hồi chuyển tiếp; Hành vi chuyển đổi độc lập với nhiệt độ; Thời gian chuyển đổi cực nhanh với tổn thất tối thiểu; Hệ số nhiệt độ dương điện áp chuyển tiếp; Thiết bị có thể được song song mà không có nhiệt chạy trốn; Giảm yêu cầu tản nhiệt; Tối ưu hóa cho các ứng dụng diode tăng PFC
1Đã tìm thấy sản phẩm
JPY: 1,580
USD: 9.90
