Đặc trưng

• TMBS - Bộ chỉnh lưu trường học Trench MOS Barrier, Lên đến 20A, Chất bán dẫn Vishay. Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series của Vishay chứa cấu trúc rãnh được cấp bằng sáng chế. Bộ chỉnh lưu TMBS cung cấp một số lợi thế so với bộ chỉnh lưu phẳng Schottky. Ở điện áp hoạt động của 45V và trên mặt phẳng Schottky chỉnh lưu có thể mất lợi thế của họ về tốc độ chuyển đổi nhanh và thấp về phía trước thả đến một mức độ đáng kể. Cấu trúc TMBS được cấp bằng sáng chế giải quyết các vấn đề này bằng cách giảm bớt các mũi tiêm mang thiểu số đến vùng trôi dạt, do đó giảm thiểu các khoản phí được lưu trữ và cải thiện tốc độ chuyển mạch. Đặc điểm. Cấu trúc rãnh được cấp bằng sáng chế Hiệu quả được cải thiện trong nguồn cung cấp năng lượng chế độ chuyển đổi AC/DC và bộ chuyển đổi DC/DC Mật độ công suất cao và điện áp chuyển tiếp thấp