64-1456-21 ［Đã ngừng］IPD079N06L3GBTMA1 N-Kênh MOSFET, 50 A, 60 V OptiMOS 3, 3-Pin DPAK Infineon IPD079N06L3GBTMA1
Đặc trưng
- Infineon OptiMOS ™ 3 Điện MOSFET, 60 đến 80V. Các sản phẩm OptiMOS™ có sẵn trong các gói hiệu suất cao để giải quyết các ứng dụng khó khăn nhất cho sự linh hoạt đầy đủ trong không gian hạn chế. Các sản phẩm Infineon này được thiết kế để đáp ứng và vượt quá các yêu cầu về hiệu suất năng lượng và mật độ năng lượng của các tiêu chuẩn điều chỉnh điện áp thế hệ tiếp theo được mài sắc trong các ứng dụng máy tính. Chuyển đổi nhanh MOSFET cho SMPS Công nghệ tối ưu hóa cho bộ chuyển đổi DC/DC Đủ điều kiện theo JEDEC1) cho các ứng dụng mục tiêu N-kênh, cấp logic Phí cổng tuyệt vời x R DS (bật) sản phẩm (FOM) Độ bền R DS (bật) Mạ không có Pb rất thấp
Thông số kỹ thuật
- Số lượng: 1 bộ (2500 miếng)
- Loại kênh:N
- Dòng xả liên tục tối đa: 50 A
- Điện áp nguồn tối đa: 60 V
- Kháng nguồn tối đa: 13,5 mΩ
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa: 2.2V
- Điện áp ngưỡng cổng tối thiểu: 1.2V
- Điện áp nguồn cổng tối đa: -20 V, +20 V
- Loại gói:DPAK (TO-252)
- Loại lắp:Surface Mount
- Cấu hình Transistor: Đơn
- Chế độ kênh: Tăng cường
- Thể loại:Điện MOSFET
- Tản điện tối đa: 79 W
- Phí cổng điển hình @ Vgs: 22 nC @ 4,5 V
- MÃ SỐ:165-5968
| Mã đặt hàng | 64-1456-21 | |
|---|---|---|
| Mã Model | IPD079N06L3GBTMA1 | |
| Giá chuẩn |
JPY: 178,690
USD: 1,111.81
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| Số lượng | 1set(2500pieces) | |
|
||
| Hàng có sẵn ở Nhật Bản | - | |