ON Semiconductor

64-0077-39 [Đã ngừng]NTJD4105CT1G Dual N/P-Kênh MOSFET, 1.1 A, 910 mA, 8 V, 20 V, 6-Pin SOT-363 TRÊN chất bán dẫn NTJD4105CT1G

Đặc trưng

  • Dual N/P-Channel MOSFET, TRÊN chất bán dẫn. NTJD1155L là một MOSFET kênh kép. Với cả hai kênh P và N vào một gói duy nhất, MOSFET này rực rỡ cho tín hiệu điều khiển thấp, điện áp pin yếu và dòng tải cao. Kênh N có tính năng bảo vệ ESD nội bộ và có thể được điều khiển bởi các tín hiệu logic thấp tới 1.5V, trong khi Kênh P được thiết kế để sử dụng trên các ứng dụng chuyển đổi tải. Kênh P cũng được thiết kế với công nghệ ON semi 's trench.

Thông số kỹ thuật

  • Số lượng: 1 túi (25 miếng)
  • Loại kênh: N, P
  • Dòng xả liên tục tối đa: 1,1 A, 910 mA
  • Điện áp nguồn tối đa: 8 V, 20 V
  • Điện trở nguồn tối đa: 445 mΩ, 900 mΩ
  • Điện áp ngưỡng cổng tối đa: 1.5V
  • Điện áp nguồn cổng tối đa: -12 V, -8 V, +12 V, +8 V
  • Loại gói:SOT-363 (SC-88)
  • Loại lắp:Surface Mount
  • Số lượng pin: 6
  • Chế độ kênh: Tăng cường
  • Thể loại: Tín hiệu nhỏ
  • Tản điện tối đa: 550 mW
  • Thời gian trễ bật điển hình: 13 ns, 83 ns
  • MÃ SỐ:780-0602
  •  
Mã đặt hàng 64-0077-39
Mã Model NTJD4105CT1G
Giá chuẩn JPY: 970 USD: 6.09
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Số lượng 1bag(25pieces)
  Đã ngừng
Hàng có sẵn ở Nhật Bản -