64-0077-39 [Đã ngừng]NTJD4105CT1G Dual N/P-Kênh MOSFET, 1.1 A, 910 mA, 8 V, 20 V, 6-Pin SOT-363 TRÊN chất bán dẫn NTJD4105CT1G
Đặc trưng
- Dual N/P-Channel MOSFET, TRÊN chất bán dẫn. NTJD1155L là một MOSFET kênh kép. Với cả hai kênh P và N vào một gói duy nhất, MOSFET này rực rỡ cho tín hiệu điều khiển thấp, điện áp pin yếu và dòng tải cao. Kênh N có tính năng bảo vệ ESD nội bộ và có thể được điều khiển bởi các tín hiệu logic thấp tới 1.5V, trong khi Kênh P được thiết kế để sử dụng trên các ứng dụng chuyển đổi tải. Kênh P cũng được thiết kế với công nghệ ON semi 's trench.
Thông số kỹ thuật
- Số lượng: 1 túi (25 miếng)
- Loại kênh: N, P
- Dòng xả liên tục tối đa: 1,1 A, 910 mA
- Điện áp nguồn tối đa: 8 V, 20 V
- Điện trở nguồn tối đa: 445 mΩ, 900 mΩ
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa: 1.5V
- Điện áp nguồn cổng tối đa: -12 V, -8 V, +12 V, +8 V
- Loại gói:SOT-363 (SC-88)
- Loại lắp:Surface Mount
- Số lượng pin: 6
- Chế độ kênh: Tăng cường
- Thể loại: Tín hiệu nhỏ
- Tản điện tối đa: 550 mW
- Thời gian trễ bật điển hình: 13 ns, 83 ns
- MÃ SỐ:780-0602
| Mã đặt hàng | 64-0077-39 | |
|---|---|---|
| Mã Model | NTJD4105CT1G | |
| Giá chuẩn |
JPY: 970
USD: 6.09
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Số lượng | 1bag(25pieces) | |
|
|
||
| Hàng có sẵn ở Nhật Bản | - | |
![[Đã ngừng]NTJD4105CT1G Dual N/P-Kênh MOSFET, 1.1 A, 910 mA, 8 V, 20 V, 6-Pin SOT-363 TRÊN chất bán dẫn NTJD4105CT1G](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/0077/39/64007692.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)