63-8415-39 SIRA88DP-T1-GE3 N-Kênh MOSFET, 45,5 A, 30 V TrenchFET, 8-Pin SO Vishay SIRA88DP-T1-GE3
Đặc trưng
- MOSFET N-Channel, TrenchFET Gen IV, Chất bán dẫn Vishay
Thông số kỹ thuật
- Số lượng: 1 túi (25 miếng)
- Loại kênh:N
- Dòng xả liên tục tối đa: 45,5 A
- Điện áp nguồn tối đa: 30 V
- Kháng nguồn tối đa: 10 mΩ
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa: 2.4V
- Điện áp ngưỡng cổng tối thiểu: 1.1V
- Điện áp nguồn cổng tối đa: +20 V
- Loại gói:SO
- Loại lắp:Surface Mount
- Cấu hình Transistor: Đơn
- Chế độ kênh: Tăng cường
- Thể loại:Điện MOSFET
- Tản điện tối đa: 25 W
- Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -55 °C
- MÃ SỐ:134-9696
| Mã đặt hàng | 63-8415-39 | |
|---|---|---|
| Mã Model | SIRA88DP-T1-GE3 | |
| Giá chuẩn |
JPY: 2,060
USD: 12.92
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Số lượng | 1bag(25pieces) | |
| Hàng có sẵn ở Nhật Bản |
|
|
| Cổ phiếu của nhà cung cấp |
|
|