Infineon

63-8348-33 Infineon 1200V 50A, Diode Silicon Junction, 2-Pin TO-220 IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1

Đặc trưng

  • Nhanh Chóng Chuyển Đổi Emitter Kiểm Soát Điốt, Infineon. Các điốt điều khiển bộ phát xung Infineon là các điốt nhanh 1 và các họ Rapid 2 cũng là các điốt siêu mềm 600 V / 1200 V. Các điốt hoạt động trong các ứng dụng khác nhau từ Viễn thông, UPS, hàn, AC-DC và phiên bản siêu mềm hoạt động trên các ứng dụng ổ đĩa động cơ lên đến 30 kHz .. Nhanh chóng 1 chuyển mạch diode giữa 18kHz và 40kHz 1.35V nhiệt độ ổn định điện áp chuyển tiếp Lý tưởng cho Power Factor Correction (PFC) topologies Các Rapid 2 diode chuyển giữa 40 kHz và 100 kHz Thấp đảo ngược phí phục hồi: tỷ lệ điện áp chuyển tiếp cho hiệu suất BiC Thời gian phục hồi ngược thấp Tổn thất bật tắt thấp trên công tắc tăng Diode cực nhanh 600 V/1200 V Emitter Công nghệ được kiểm soát Đủ điều kiện theo tiêu chuẩn JEDEC Hành vi EMI tốt Tổn thất dẫn thấp Dễ dàng song

Thông số kỹ thuật

  • Số lượng: 1 bộ (50 miếng)
  • Cấu hình Diode: Độc thân
  • Số lượng các yếu tố trên mỗi chip: 1
  • Điện áp lặp lại đỉnh cao: 1200V
  • Kiểu lắp:Thông qua lỗ
  • Loại gói:TO-220
  • Công nghệ Diode: Silicon Junction
  • Số lượng pin: 2
  • Giảm điện áp chuyển tiếp tối đa: 2.15V
  • Thời gian phục hồi ngược đỉnh: 380ns
  • Đỉnh không lặp đi lặp lại Forward Surge hiện tại: 102A
  • MÃ SỐ:145-8584
  •  
Mã đặt hàng 63-8348-33
Mã Model IDP30E120XKSA1
Giá chuẩn JPY: 13,000 USD: 81.55
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Số lượng 1set(50pieces)
Hàng có sẵn ở Nhật Bản
Cổ phiếu của nhà cung cấp