ON Semiconductor

63-7669-87　［Đã ngừng］FQT7N10LTF N-Channel MOSFET, 1,7 A, 100 V QFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 TRÊN chất bán dẫn　FQT7N10LTF

English

Đặc trưng

QFET® N-Channel MOSFET, lên đến 5.9A, Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor s mới QFET® planar MOSFET sử dụng công nghệ tiên tiến, độc quyền để cung cấp hiệu suất hoạt động tốt nhất trong lớp cho một loạt các ứng dụng, bao gồm nguồn cung cấp điện, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), ánh sáng chấn lưu, và điều khiển chuyển động. Họ cung cấp giảm tổn thất tại nhà nước bằng cách giảm điện trở (RDS (bật)) và giảm tổn thất chuyển đổi bằng cách giảm phí cổng (Qg) và điện dung đầu ra (Coss). Bằng cách sử dụng công nghệ xử lý QFET® tiên tiến, Fairchild có thể cung cấp một con số cải tiến của công đức (FOM) hơn cạnh tranh với các thiết bị MOSFET phẳng.

Thông số kỹ thuật

Số lượng: 1 bộ (4000 miếng)
Loại kênh: Không có
Dòng xả liên tục tối đa: 1,7 A
Điện áp nguồn tối đa: 100 V
Tối đa Drain Source kháng: 350 mΩ
Điện áp ngưỡng cổng tối thiểu: 1V
Điện áp nguồn cổng tối đa: -20 V, +20 V
Loại gói: XÃ-223
Kiểu lắp: bề mặt Núi
Số Pin : 3 + Tab
Chế độ kênh: Nâng cao
Danh mục : Điện MOSFET
Tản điện tối đa: 2 W
Phí Cổng Điển Hình @ Vgs: 4,6 nC @ 5 V
MÃ SỐ:166-1755

Mã đặt hàng	63-7669-87
Mã Model	FQT7N10LTF
Giá chuẩn	JPY: 250,000 USD: 1,568.19 Excange rate 1USD= 159.42JPY Valid price in Japan
Số lượng	1set(4000pieces)

Hàng có sẵn ở Nhật Bản	-