ON Semiconductor

63-7669-76 [Đã ngừng]MOSFET kênh P-P FDS6675BZ, Rãnh nguồn 11 A, 30 V, SOIC 8 chân trên chất bán dẫn FDS6675BZ

Đặc trưng

  • PowerTrench® MOSFET Kênh P, Chất bán dẫn Fairchild. PowerTrench® MOSFET là các công tắc công suất tối ưu giúp tăng hiệu suất hệ thống và mật độ công suất. Chúng kết hợp phí cổng nhỏ (Qg), phí phục hồi ngược nhỏ (Qrr) và diode cơ thể phục hồi ngược mềm, góp phần chuyển đổi nhanh chóng cải chính đồng bộ trong nguồn điện AC/DC. PowerTrench® MOSFET mới nhất sử dụng cấu trúc cổng được che chắn cung cấp cân bằng phí. Bằng cách sử dụng công nghệ tiên tiến này, FOM (Hình Bằng khen) của các thiết bị này là thấp hơn đáng kể so với thế hệ trước. Hiệu suất diode cơ thể mềm của PowerTrench ® MOSFET có thể loại bỏ các mạch snubber hoặc thay thế MOSFET xếp hạng điện áp cao hơn.

Thông số kỹ thuật

  • Số lượng: 1 bộ (2500 miếng)
  • Loại kênh: P
  • Dòng xả liên tục tối đa: 11 A
  • Điện áp nguồn tối đa: 30 V
  • Tối đa Drain Source kháng: 13 mΩ
  • Điện áp ngưỡng cổng tối thiểu: 1V
  • Điện áp nguồn cổng tối đa: -25 V, +25 V
  • Loại gói: LIÊN QUAN TỚI
  • Kiểu lắp: bề mặt Núi
  • Cấu hình Transistor: Đơn
  • Chế độ kênh: Nâng cao
  • Danh mục : Điện MOSFET
  • Tản điện tối đa: 2,5 W
  • Thời gian trễ bật điển hình: 3 ns
  • MÃ SỐ:166-2610
  •  
Mã đặt hàng 63-7669-76
Mã Model FDS6675BZ
Giá chuẩn JPY: 199,000 USD: 1,248.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Số lượng 1set(2500pieces)
  Đã ngừng
Hàng có sẵn ở Nhật Bản -