63-7652-35 [Đã ngừng]Osram Opto BPW 34 FA IR Si Photodiode, 60 °, thông qua lỗ DIP BPW 34 FA

Đặc trưng

  • Gói Photodiode DIL. Họ này của photodiod IR, từ OSRAM Opto Semiconductors, là từ loạt BPW 34. Chúng có bề mặt gắn kết (SMD) hoặc các gói nhựa DIL xuyên lỗ với diện tích nhạy cảm rạng rỡ 2,65 x 2,65 mm². Chúng BPW 34 IR photodiod được thiết kế cho các ứng dụng với phạm vi bước sóng lên đến 1100 nm. Các ứng dụng phù hợp khác bao gồm; photointerrupters, IR điều khiển từ xa và cảm biến ô tô, tai nghe vv

Thông số kỹ thuật

  • Số lượng: 1 túi (5 miếng)
  • Phổ được phát hiện: Hồng ngoại
  • Bước sóng của độ nhạy cực đại: 880nm
  • Loại gói: NHÚNG
  • Kiểu lắp: Qua lỗ
  • Số lượng Pins: 2
  • Chất liệu Diode: Học
  • Phát hiện bước sóng tối thiểu: 730nm
  • Phát hiện bước sóng tối đa: 1100nm
  • Chiều dài : 4,5mm
  • Chiều rộng : 4mm
  • Chiều cao : 2,2mm
  • Độ nhạy ảnh đỉnh: 0,65A/W
  • MÃ SỐ:654-7921
  •  
Mã đặt hàng 63-7652-35
Mã Model BPW 34 FA
Giá chuẩn JPY: 630 USD: 3.95
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Số lượng 1bag(5pieces)
  Đã ngừng
Hàng có sẵn ở Nhật Bản -