63-7652-35 [Đã ngừng]Osram Opto BPW 34 FA IR Si Photodiode, 60 °, thông qua lỗ DIP BPW 34 FA
Đặc trưng
- Gói Photodiode DIL. Họ này của photodiod IR, từ OSRAM Opto Semiconductors, là từ loạt BPW 34. Chúng có bề mặt gắn kết (SMD) hoặc các gói nhựa DIL xuyên lỗ với diện tích nhạy cảm rạng rỡ 2,65 x 2,65 mm². Chúng BPW 34 IR photodiod được thiết kế cho các ứng dụng với phạm vi bước sóng lên đến 1100 nm. Các ứng dụng phù hợp khác bao gồm; photointerrupters, IR điều khiển từ xa và cảm biến ô tô, tai nghe vv
Thông số kỹ thuật
- Số lượng: 1 túi (5 miếng)
- Phổ được phát hiện: Hồng ngoại
- Bước sóng của độ nhạy cực đại: 880nm
- Loại gói: NHÚNG
- Kiểu lắp: Qua lỗ
- Số lượng Pins: 2
- Chất liệu Diode: Học
- Phát hiện bước sóng tối thiểu: 730nm
- Phát hiện bước sóng tối đa: 1100nm
- Chiều dài : 4,5mm
- Chiều rộng : 4mm
- Chiều cao : 2,2mm
- Độ nhạy ảnh đỉnh: 0,65A/W
- MÃ SỐ:654-7921
| Mã đặt hàng | 63-7652-35 | |
|---|---|---|
| Mã Model | BPW 34 FA | |
| Giá chuẩn |
JPY: 630
USD: 3.95
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| Số lượng | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| Hàng có sẵn ở Nhật Bản | - | |
![[Đã ngừng]Osram Opto BPW 34 FA IR Si Photodiode, 60 °, thông qua lỗ DIP BPW 34 FA](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/7652/35/63765234.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)