IXYS

63-7352-33 IXFN82N60P N-Kênh MOSFET, 72 A, 600 V HiperFET, cực, 4-Pin SOT-227B IXYS IXFN82N60P

Đặc trưng

  • Nguồn điện N-kênh MOSFET, Dòng IXYS HiperFET™ Polar™. Các MOSFET nguồn N-Channel với Diode nội tại nhanh (HiPerFET™) từ IXYS

Thông số kỹ thuật

  • Số lượng: 1 bộ (10 miếng)
  • Loại kênh: Không có
  • Dòng xả liên tục tối đa: 72 A
  • Điện áp nguồn tối đa: 600 V
  • Tối đa Drain Source kháng: 75 mΩ
  • Điện áp ngưỡng cổng tối đa: 5V
  • Điện áp nguồn cổng tối đa: -30 V, +30 V
  • Loại gói: SOT-227B
  • Kiểu lắp: Bảng điều khiển Mount
  • Số Pin : 4
  • Chế độ kênh: Nâng cao
  • Danh mục : Điện MOSFET
  • Tản điện tối đa: 1,04 kW
  • Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: -55 °C
  • MÃ SỐ:168-4484
  •  
Mã đặt hàng 63-7352-33
Mã Model IXFN82N60P
Giá chuẩn JPY: 76,500 USD: 479.87
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
Số lượng 1set(10pieces)
Hàng có sẵn ở Nhật Bản
Cổ phiếu của nhà cung cấp