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OSI光电，FCI-InGaAs-1000红外InGaAs光电二极管，通孔TO-46,TO-5　FCI-InGaAs-1000

OSI大有源区InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx-x系列是大面积的InGaAs光电二极管。它们是一系列红外敏感探测器，具有高响应性 (1100-1620nm) 。它们采用TO-46或TO-5封装，窗口平坦。适用于该系列光电二极管的应用包括;红外仪器，监测，光学仪器，功率测量，红外传感和医疗设备。特点:活动面积大:1毫米、1.5毫米和3毫米高响应低噪声频谱范围:900纳米-1700纳米

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OSI光电，FCI-InGaAs-120L-FCInGaAs光电二极管，通孔猪尾　FCI-InGaAs-120L-FC

OSI高速InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx系列是高速InGaAs光电二极管。它们是Datacom和Telecom应用的理想选择。这些高速光电二极管具有低电容、低暗电流和高响应性，适用于局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中的高比特率接收器。该系列光电二极管采用3引脚隔离TO-46封装或1引脚药丸封装。适合的应用程序包括;高速光通信，光纤接收器，千兆以太网和光水龙头。特点:高速高响应低噪声频谱范围:900 nm到1700 nm

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OSI光电，UV-035EQ紫外硅光二极管，通孔TO-8　UV-035EQ

OSI紫外增强系列光电二极管。OSI光电公司的UV增强型系列是一系列UV增强型硅光电二极管。该系列包括两个分体光电二极管系列，反转通道和平面扩散。这两个系列都是为低噪声的电磁频谱紫外区检测而设计的。反转层结构家族表现出100%的内部量子效率。该系列光电二极管具有高分流电阻、低噪声和高击穿电压，是低强度光测量的理想器件。具有平面扩散结构的光电二极管与后来的反转系列相比具有更低的电容和更高的响应时间。与反相层光电二极管相比，它们还显示出光电流的线性，可达到更高的光输入功率。适用于UV增强系列的应用包括;污染监测，医疗仪器，紫外线曝光仪，光谱，水净化和荧光。UV增强系列的特点:反转层或平面扩散硅光电二极管优异的UV响应

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OSI光电，FCI-InGaAs-500InGaAs光电二极管，通孔TO-46　FCI-InGaAs-500

OSI高速InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx系列是高速InGaAs光电二极管。它们是Datacom和Telecom应用的理想选择。这些高速光电二极管具有低电容、低暗电流和高响应性，适用于局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中的高比特率接收器。该系列光电二极管采用3引脚隔离TO-46封装或1引脚药丸封装。适合的应用程序包括;高速光通信，光纤接收器，千兆以太网和光水龙头。特点:高速高响应低噪声频谱范围:900 nm到1700 nm

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OSI光电，PIN-10D红外硅光电二极管，表面贴装BNC　PIN-10D

OSI光导系列光电二极管。OSI光电公司的光导系列是平面扩散硅光电二极管，专为高速和高灵敏度应用而设计。它们的光谱范围 (350-1100nm) 使得光导系列适用于可见和近红外应用。这些通用光电二极管适用于包括;脉冲探测器、条形码阅读器、光学遥控器、光通信、医疗设备和高速测光。光导系列的特点:高响应低电容低暗电流宽动态范围

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OSI光电，UV-035EQ紫外硅光二极管，通孔TO-8　UV-035EQ

OSI紫外增强系列光电二极管。OSI光电公司的UV增强系列是一系列UV增强硅光电二极管。该系列包括两个分体光电二极管系列，反转通道和平面扩散。这两个系列都是为低噪声的电磁频谱紫外区检测而设计的。反转层结构家族表现出100%的内部量子效率。该系列光电二极管具有高分流电阻、低噪声和高击穿电压，是低强度光测量的理想器件。具有平面扩散结构的光电二极管与后来的反转系列相比具有更低的电容和更高的响应时间。与反相层光电二极管相比，它们还显示出光电流的线性，可达到更高的光输入功率。适用于UV增强系列的应用包括;污染监测，医疗仪器，紫外线曝光仪，光谱，水净化和荧光。UV增强系列的特点:反转层或平面扩散硅光电二极管优异的UV响应

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FCI-H250G-InGaAs-70OSI光电器件，1650纳米光电探测器放大器，通孔TO-46封装　FCI-H250G-InGaAs-70

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FCI-H125G-InGaAs-70OSI光电器件，1650纳米光电探测器放大器，通孔TO-46封装　FCI-H125G-InGaAs-70

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OSI光电，PIN-SPOT-4DSi光电二极管，通孔TO-5　PIN-SPOT-4D

OSI SPOT系列分段式光电二极管。来自OSI光电的SPOT系列共衬底光电二极管被分割成独立的活动区域，相邻元件之间的间隙为0.127毫米。SPOT系列光电二极管的光谱响应范围为350-1100nm。;可以添加缺口或带通滤波器来实现特定的光谱响应。当光斑直径大于单元间距时，可以获得位置信息。高精度位置分辨率优于0.1μm快速响应时间，适用于高速或脉冲操作超低暗电流的优异响应匹配时间和温度下的高稳定性应用包括:机床对齐、位置测量、光束集中、表面轮廓和瞄准制导系统

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OSI光电，PIN-DL-20C硅位置传感器 (PSD) ，通孔　PIN-DL-20C

定位传感器 (PSD) 。这一系列的位置传感探测器 (PSD) ，来自OSI光电，利用双侧技术。它们提供连续的模拟输出，在大多数传感区域提供高的位置精度。可以使用这个范围的PSD测量一个或两个维度的位置。适用于这些位置传感探测器 (PSD) 的应用包括;光束对准，位置感应，角度测量，高度测量和运动分析。特点:超线性高精度宽动态范围高可靠性双侧结构

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OSI光电，PIN-DL-20C硅位置传感器 (PSD) ，通孔　PIN-DL-20C

定位传感器 (PSD) 。这一系列的位置传感探测器 (PSD) ，来自OSI光电，利用双侧技术。它们提供连续的模拟输出，在大多数传感区域提供高的位置精度。可以使用这个范围的PSD测量一个或两个维度的位置。适用于这些位置传感探测器 (PSD) 的应用包括;光束对准，位置感应，角度测量，高度测量和运动分析。特点:超线性高精度宽动态范围高可靠性双侧结构

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OSI光电，PIN-040A红外硅光电二极管，通孔TO-18　PIN-040A

OSI光导系列光电二极管。OSI光电公司的光导系列是平面扩散硅光电二极管，专为高速和高灵敏度应用而设计。它们的光谱范围 (350-1100nm) 使得光导系列适用于可见和近红外应用。这些通用光电二极管适用于包括;脉冲探测器、条形码阅读器、光学遥控器、光通信、医疗设备和高速测光。光导系列的特点:高响应低电容低暗电流宽动态范围

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OSI光电，PIN-040A红外硅光电二极管，通孔TO-18　PIN-040A

OSI光导系列光电二极管。OSI光电公司的光导系列是平面扩散硅光电二极管，专为高速和高灵敏度应用而设计。它们的光谱范围 (350-1100nm) 使得光导系列适用于可见和近红外应用。这些通用光电二极管适用于包括;脉冲探测器、条形码阅读器、光学遥控器、光通信、医疗设备和高速测光。光导系列的特点:高响应低电容低暗电流宽动态范围

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PIN-UDT-455OSI光电器件，970纳米红外光电探测器放大器，通孔TO-5封装　PIN-UDT-455

OSI光电二极管放大器混合器。光电系列，从OSI光电，是光电二极管放大器混合。它们在同一个封装内组合一个运算放大器。它们的集成封装可确保在一系列工作条件下实现低噪声输出。Photops系列的合适应用包括;通用光检测，激光功率监测，条形码阅读器，工业控制传感器和制导系统。Photops系列的特点:检测器和放大器相结合的可调增益/带宽低噪声DIP封装大有效面积

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PIN-UDT-455OSI光电器件，970纳米红外光电探测器放大器，通孔TO-5封装　PIN-UDT-455

OSI光电二极管放大器混合器。光电系列，从OSI光电，是光电二极管放大器混合。它们在同一个封装内组合一个运算放大器。它们的集成封装可确保在一系列工作条件下实现低噪声输出。Photops系列的合适应用包括;通用光检测，激光功率监测，条形码阅读器，工业控制传感器和制导系统。Photops系列的特点:检测器和放大器相结合的可调增益/带宽低噪声DIP封装大有效面积

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OSI光电，FCI-InGaAs-1000红外InGaAs光电二极管，通孔TO-46,TO-5　FCI-INGAAS-1000

OSI大有源区InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx-x系列是大面积的InGaAs光电二极管。它们是一系列红外感应探测器，具有高响应性 (1100-1620nm) 。它们采用TO-46或TO-5封装，窗口平坦。适用于该系列光电二极管的应用包括;红外仪器，监测，光学仪器，功率测量，红外传感和医疗设备。特点:活动面积大:1毫米、1.5毫米和3毫米高响应低噪声频谱范围:900纳米-1700纳米

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OSI光电，PIN-5DIIR+可见光硅光电二极管，通孔TO-5　PIN-5DI

OSI光导系列光电二极管。OSI光电公司的光导系列是平面扩散硅光电二极管，专为高速和高灵敏度应用而设计。它们的光谱范围 (350-1100nm) 使得光导系列适用于可见和近红外应用。这些通用光电二极管适用于包括;脉冲探测器、条形码阅读器、光学遥控器、光通信、医疗设备和高速测光。光导系列的特点:高响应低电容低暗电流宽动态范围

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OSI光电，PIN-5DIIR+可见光硅光电二极管，通孔TO-5　PIN-5DI

OSI光导系列光电二极管。OSI光电公司的光导系列是平面扩散硅光电二极管，专为高速和高灵敏度应用而设计。它们的光谱范围 (350-1100nm) 使得光导系列适用于可见和近红外应用。这些通用光电二极管适用于包括;脉冲探测器、条形码阅读器、光学遥控器、光通信、医疗设备和高速测光。光导系列的特点:高响应低电容低暗电流宽动态范围

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OSI光电，FCI-InGaAs-Q3000InGaAs光电二极管，通孔TO-8　FCI-INGAAS-Q3000

OSI大有源区InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx-x系列是大面积的InGaAs光电二极管。它们是一系列红外感应探测器，具有高响应性 (1100-1620nm) 。它们采用TO-46或TO-5封装，窗口平坦。适用于该系列光电二极管的应用包括;红外仪器，监测，光学仪器，功率测量，红外传感和医疗设备。特点:活动面积大:1毫米、1.5毫米和3毫米高响应低噪声频谱范围:900纳米-1700纳米

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OSI光电，FCI-InGaAs-Q3000InGaAs光电二极管，通孔TO-8　FCI-InGaAs-Q3000

OSI大有源区InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx-x系列是大面积的InGaAs光电二极管。它们是一系列红外感应探测器，具有高响应性 (1100-1620nm) 。它们采用TO-46或TO-5封装，窗口平坦。适用于该系列光电二极管的应用包括;红外仪器，监测，光学仪器，功率测量，红外传感和医疗设备。特点:活动面积大:1毫米、1.5毫米和3毫米高响应低噪声频谱范围:900纳米-1700纳米

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OSI光电，PINDL-4硅光电二极管，通孔TO-8　PIN DL-4

定位传感器 (PSD) 。这一系列的位置传感探测器 (PSD) ，来自OSI光电，利用双侧技术。它们提供连续的模拟输出，在大多数传感区域提供高的位置精度。可以使用这个范围的PSD测量一个或两个维度的位置。适用于这些位置传感探测器 (PSD) 的应用包括;光束对准，位置感应，角度测量，高度测量和运动分析。特点:超线性高精度宽动态范围高可靠性双侧结构

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OSI光电，PINDL-4硅光电二极管，通孔TO-8　PIN DL-4

定位传感器 (PSD) 。这一系列的位置传感探测器 (PSD) ，来自OSI光电，利用双侧技术。它们提供连续的模拟输出，在大多数传感区域提供高的位置精度。可以使用这个范围的PSD测量一个或两个维度的位置。适用于这些位置传感探测器 (PSD) 的应用包括;光束对准，位置感应，角度测量，高度测量和运动分析。特点:超线性高精度宽动态范围高可靠性双侧结构

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OSI光电，PIN-SPOT-9DMISi光电二极管，通孔低轮廓　PIN-SPOT-9DMI

OSI SPOT系列分段式光电二极管。来自OSI光电的SPOT系列共衬底光电二极管被分割成独立的活动区域，相邻元件之间的间隙为0.127毫米。SPOT系列光电二极管的光谱响应范围为350-1100nm。;可以添加缺口或带通滤波器来实现特定的光谱响应。当光斑直径大于单元间距时，可以获得位置信息。高精度位置分辨率优于0.1μm快速响应时间，适用于高速或脉冲操作超低暗电流的优异响应匹配时间和温度下的高稳定性应用包括:机床对齐、位置测量、光束集中、表面轮廓和瞄准制导系统

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OSI光电，PIN-SPOT-9DMISi光电二极管，通孔低轮廓　PIN-SPOT-9DMI

OSI SPOT系列分段式光电二极管。来自OSI光电的SPOT系列共衬底光电二极管被分割成独立的活动区域，相邻元件之间的间隙为0.127毫米。SPOT系列光电二极管的光谱响应范围为350-1100nm。;可以添加缺口或带通滤波器来实现特定的光谱响应。当光斑直径大于单元间距时，可以获得位置信息。高精度位置分辨率优于0.1μm快速响应时间，适用于高速或脉冲操作超低暗电流的优异响应匹配时间和温度下的高稳定性应用包括:机床对齐、位置测量、光束集中、表面轮廓和瞄准制导系统

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OSI光电，FCI-InGaAs-120InGaAs光电二极管，通孔TO-46　FCI-InGaAs-120

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OSI光电，FCI-InGaAs-500InGaAs光电二极管，通孔TO-46　FCI-INGAAS-500

OSI高速InGaAs光电二极管。OSI光电公司的FCI-InGaAs-xxx系列是高速InGaAs光电二极管。它们是Datacom和Telecom应用的理想选择。这些高速光电二极管具有低电容、低暗电流和高响应性，适用于局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中的高比特率接收器。该系列光电二极管采用3引脚隔离TO-46封装或1引脚药丸封装。适合的应用程序包括;高速光通信，光纤接收器，千兆以太网和光水龙头。特点:高速高响应低噪声频谱范围:900nm到1700nm

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OSI光电，PIN-10D红外硅光电二极管，表面贴装BNC　PIN-10D

OSI光导系列光电二极管。OSI光电公司的光导系列是平面扩散硅光电二极管，专为高速和高灵敏度应用而设计。它们的光谱范围 (350-1100nm) 使得光导系列适用于可见和近红外应用。这些通用光电二极管适用于包括;脉冲探测器、条形码阅读器、光学遥控器、光通信、医疗设备和高速测光。光导系列的特点:高响应低电容低暗电流宽动态范围

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OSI光电，PIN-UV-100DQC紫外硅光二极管，通孔陶瓷　PIN-UV-100DQC

OSI紫外增强系列光电二极管。OSI光电公司的UV增强型系列是一系列UV增强型硅光电二极管。该系列包括两个分体光电二极管系列，反转通道和平面扩散。这两个系列都是为低噪声的电磁频谱紫外区检测而设计的。反转层结构家族表现出100%的内部量子效率。该系列光电二极管具有高分流电阻、低噪声和高击穿电压，是低强度光测量的理想器件。具有平面扩散结构的光电二极管与后来的反转系列相比具有更低的电容和更高的响应时间。与反相层光电二极管相比，它们还显示出光电流的线性，可达到更高的光输入功率。适用于UV增强系列的应用包括;污染监测，医疗仪器，紫外线曝光仪，光谱，水净化和荧光。UV增强系列的特点:反转层或平面扩散硅光电二极管优异的UV响应

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OSI光电，PIN-UV-100DQC紫外硅光二极管，通孔陶瓷　PIN-UV-100DQC

OSI紫外增强系列光电二极管。OSI光电公司的UV增强型系列是一系列UV增强型硅光电二极管。该系列包括两个分体光电二极管系列，反转通道和平面扩散。这两个系列都是为低噪声的电磁频谱紫外区检测而设计的。反转层结构家族表现出100%的内部量子效率。该系列光电二极管具有高分流电阻、低噪声和高击穿电压，是低强度光测量的理想器件。具有平面扩散结构的光电二极管与后来的反转系列相比具有更低的电容和更高的响应时间。与反相层光电二极管相比，它们还显示出光电流的线性，可达到更高的光输入功率。适用于UV增强系列的应用包括;污染监测，医疗仪器，紫外线曝光仪，光谱，水净化和荧光。UV增强系列的特点:反转层或平面扩散硅光电二极管优异的UV响应

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OSI光电，APD15-8-150-TO5红外硅光电二极管，通孔TO-5　APD15-8-150-TO5

OSI APD系列8-150硅雪崩光电二极管。OSI光电公司的APD系列8-150是一个硅雪崩光电二极管系列，经过优化，可以在800nm波长下工作。它们采用密封金属封装，有0.2、0.5、1或1.5毫米活动区域直径可选。APD系列8-150光电二极管在高达1GHz的带宽上提供低噪声和高灵敏度。适用于APD8-150光电二极管的应用包括;光纤通讯，激光测距仪和高速测光。APD系列8-150的特点:封装:TO-52和TO-5低温系数:0.45 V/°C高灵敏度低噪声高带宽工作温度:-40°C至+100°C

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OSI光电，APD15-8-150-TO5红外硅光电二极管，通孔TO-5　APD15-8-150-TO5

OSI APD系列8-150硅雪崩光电二极管。OSI光电公司的APD系列8-150是一个硅雪崩光电二极管系列，经过优化，可以在800nm波长下工作。它们采用密封金属封装，有0.2、0.5、1或1.5毫米活动区域直径可选。APD系列8-150光电二极管在高达1GHz的带宽上提供低噪声和高灵敏度。适用于APD8-150光电二极管的应用包括;光纤通讯，激光测距仪和高速测光。APD系列8-150的特点:封装:TO-52和TO-5低温系数:0.45 V/°C高灵敏度低噪声高带宽工作温度:-40°C至+100°C

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OSI光电，APD05-8-150-T52L红外硅光电二极管，通孔TO-52　APD05-8-150-T52L

OSI APD系列8-150硅雪崩光电二极管。OSI光电公司的APD系列8-150是一个硅雪崩光电二极管系列，经过优化，可以在800nm波长下工作。它们采用密封金属封装，有0.2、0.5、1或1.5毫米活动区域直径可选。APD系列8-150光电二极管在高达1GHz的带宽上提供低噪声和高灵敏度。适用于APD8-150光电二极管的应用包括;光纤通讯，激光测距仪和高速测光。APD系列8-150的特点:封装:TO-52和TO-5低温系数:0.45 V/°C高灵敏度低噪声高带宽工作温度:-40°C至+100°C

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OSI光电，APD05-8-150-T52L红外硅光电二极管，通孔TO-52　APD05-8-150-T52L

OSI APD系列8-150硅雪崩光电二极管。OSI光电公司的APD系列8-150是一个硅雪崩光电二极管系列，经过优化，可以在800nm波长下工作。它们采用密封金属封装，有0.2、0.5、1或1.5毫米活动区域直径可选。APD系列8-150光电二极管在高达1GHz的带宽上提供低噪声和高灵敏度。适用于APD8-150光电二极管的应用包括;光纤通讯，激光测距仪和高速测光。APD系列8-150的特点:封装:TO-52和TO-5低温系数:0.45 V/°C高灵敏度低噪声高带宽工作温度:-40°C至+100°C

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OSI光电，FCI-InGaAs-Q1000InGaAs光电二极管，通孔TO-5　FCI-InGaAs-Q1000

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OSI光电，UV-100LSi光电二极管，通孔低轮廓　UV-100L

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OSI光电，PIN-RD100可见光硅光电二极管，通孔陶瓷　PIN-RD100

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OSI光电，PIN-RD15可见光硅光电二极管，通孔TO-8　PIN-RD15

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［已停用］OSI光电，OSD15-5TSi光电二极管，通孔TO-8封装　OSD15-5T

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［已停用］OSI光电，PIN-25DP可见光硅光电二极管，表面贴装BNC　PIN-25DP

这些光电二极管没有被设计成反向偏置，应用了超过几伏的反向偏置 (>将永久损坏它们。OSI光电二极管系列。OSI光电的光伏系列是平面扩散硅光电二极管。这些通用光电二极管非常适合需要高灵敏度和中等响应速度的应用。它们的光谱响应范围 (350-1100nm) 使得常规光伏系列适用于可见和红外应用。光伏系列具有高分流电阻和低噪音。它们也显示出长期的稳定性。适用于光伏系列，包括;比色计，光度计，光谱设备和荧光。光伏系列的特点:超低噪声高分流电阻宽动态蓝增强

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［已停用］OSI光电，PIN-25DP可见光硅光电二极管，表面贴装BNC　PIN-25DP

这些光电二极管没有被设计成反向偏置，应用了超过几伏的反向偏置 (>将永久损坏它们。OSI光电二极管系列。OSI光电的光伏系列是平面扩散硅光电二极管。这些通用光电二极管非常适合需要高灵敏度和中等响应速度的应用。它们的光谱响应范围 (350-1100nm) 使得常规光伏系列适用于可见和红外应用。光伏系列具有高分流电阻和低噪音。它们也显示出长期的稳定性。适用于光伏系列，包括;比色计，光度计，光谱设备和荧光。光伏系列的特点:超低噪声高分流电阻宽动态蓝增强