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Wolfspeed600V2A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D02060A C3D02060A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 680
USD: 4.27
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Wolfspeed600V4A, SiC肖特基二极管，3PinDPAKC3D04060E C3D04060E
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 450
USD: 2.82
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Wolfspeed600V4A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D04060A C3D04060A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 550
USD: 3.45
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C2M0080120DSiCN沟道MOSFET, 31 A, 1200 V,3PinTO-247Wolfspeed C2M0080120D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 8,170
USD: 51.25
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Wolfspeed1200V38A,双SiC肖特基二极管，3针TO-247C4D10120D C4D10120D
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 1,660
USD: 10.41
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Wolfspeed1200V14A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C4D10120A C4D10120A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 1,660
USD: 10.41
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Wolfspeed600V5A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D03060F C3D03060F
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 2,300
USD: 14.43
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Wolfspeed1200V10A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C4D02120A C4D02120A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 3,170
USD: 19.89
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Wolfspeed600V4A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D02060F C3D02060F
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 2,160
USD: 13.55
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C2M0160120DSiCN沟道MOSFET, 19 A, 1200 V,3PinTO-247Wolfspeed C2M0160120D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 3,830
USD: 24.03
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C2M0025120DSiCN沟道MOSFET, 90 A, 1200 V,3PinTO-247Wolfspeed C2M0025120D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 20,500
USD: 128.59
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C3M0065090DSiCN沟道MOSFET, 36 A, 900 V,3引脚TO-247Wolfspeed C3M0065090D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 4,200
USD: 26.35
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C2M0080120DSiCN沟道MOSFET, 31 A, 1200 V,3PinTO-247Wolfspeed C2M0080120D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 216,000
USD: 1,354.91
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C3M0065100KSiC N通道MOSFET, 35 A, 1000 VC3M,4-PinTO-247Wolfspeed C3M0065100K
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET Technology Drain-to-Source Breakdown Voltage (Full Operating Temperature Range): 1000 V or More New Low Impedance Package (with Driver Source) Drain-to-Source Creepage Distance/Clearance: 8 mm Fast Switching at Low Power Capacitance High Voltage Avalanche Durability with Low ON Resistance Drain-to-Source High Speed Intrinsic Diode with Ultra-Low Reverse Recovery Loss1找到 产品
JPY: 5,170
USD: 32.43
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Wolfspeed600V4A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D04060A C3D04060A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 11,000
USD: 69.00
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Wolfspeed1200V4.5A, SiC肖特基二极管，3PinDPAKC4D02120E C4D02120E
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 3,030
USD: 19.01
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Wolfspeed600V4A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D02060F C3D02060F
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 10,800
USD: 67.75
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C3M0065100KSiC N通道MOSFET, 35 A, 1000 VC3M,4-PinTO-247Wolfspeed C3M0065100K
新型C3M碳化硅功率MOSFET,C3M系列，CreeInc.新型C3M碳化硅 (SiC) MOSFET技术在整个工作温度范围内的最低1000 V引流源分解电压新型低阻抗封装，驱动源在引流和源间的爬电/间隙为8 mm,具有低输出电容的高速开关，具有低引流源On-State电阻的高阻塞电压，具有低反向恢复的快速本征二极管
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JPY: 133,000
USD: 834.27
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Wolfspeed600V4A, SiC肖特基二极管，3PinDPAKC3D04060E C3D04060E
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 16,500
USD: 103.50
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Wolfspeed600V3A, SiC肖特基二极管，3PinDPAKC3D03060E C3D03060E
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 830
USD: 5.21
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Wolfspeed600V6A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D06060A C3D06060A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 16,500
USD: 103.50
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Wolfspeed600V6A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D06060A C3D06060A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 760
USD: 4.77
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Wolfspeed600V8A, SiC肖特基二极管，3PinD2PAKC3D08060G C3D08060G
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 513,000
USD: 3,217.92
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Wolfspeed1200V38A,双SiC肖特基二极管，3针TO-247C4D10120D C4D10120D
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 36,200
USD: 227.07
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C2M0160120DSiCN沟道MOSFET, 19 A, 1200 V,3PinTO-247Wolfspeed C2M0160120D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 76,500
USD: 479.87
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C2M0025120DSiCN沟道MOSFET, 90 A, 1200 V,3PinTO-247Wolfspeed C2M0025120D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 605,000
USD: 3,795.01
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C3M0065090JSiC N沟道MOSFET, 35 A, 900 V,7PinD2PAKWolfspeed C3M0065090J
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 4,570
USD: 28.67
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C2M1000170JSiCN沟道MOSFET, 5.3 A, 1700 V,7PinD2PAKWolfspeed C2M1000170J
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 5,210
USD: 32.68
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C3M0120090DSiCN沟道MOSFET, 23 A, 900 V,3引脚TO-247Wolfspeed C3M0120090D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 55,700
USD: 349.39
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C3M0120090DSiCN沟道MOSFET, 23 A, 900 V,3引脚TO-247Wolfspeed C3M0120090D
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET。WolfspeedZ-FetTM、C2MTM和C3MTM碳化硅功率MOSFET。Cree的功率部门Wolfspeed提供了业界领先的功率密度和开关效率的第二代SiC MOSFET。这些低电容器件允许更高的开关频率，并降低了冷却要求，提高了系统的整体运行效率。; 增强型N通道SiC技术;高引流源击穿电压-高达1200V;多设备容易并联，驱动简单;低电阻高速开关;锁止电阻操作
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JPY: 3,120
USD: 19.57
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Wolfspeed650V24A, SiC肖特基二极管，2PinTO-220C3D08065A C3D08065A
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 1,890
USD: 11.86
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Wolfspeed650V32A, SiC肖特基二极管，3PinDPAKC3D10065E C3D10065E
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 5,920
USD: 37.14
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Wolfspeed650V59A,双SiC肖特基二极管，3针TO-247C3D20065D C3D20065D
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 34,600
USD: 217.04
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Wolfspeed650V59A,双SiC肖特基二极管，3针TO-247C3D20065D C3D20065D
Z-RecTM碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed。一系列WolfspeedSiC (碳化硅) 肖特基二极管比标准肖特基势垒二极管有显著改进。SiC二极管具有更高的击穿场强和更高的导热性，同时在高开关频率下功率损耗显著降低。硅二极管是高效率、高电压应用 (如开关电源和高速逆变器) 的最佳选择。; 600,650、1200和1700电压等级;0反向恢复电流和正向恢复电压;温度无关开关行为;极快的切换时间和最小的损失;正温度正向电压;设备可以并联而不会发生热失控;减少散热片需求;优化PFC升压二极管应用
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JPY: 1,410
USD: 8.85
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CAS300M12BM2双硅N沟道MOSFET, 404 A, 1200 V,7针半桥Wolfspeed CAS300M12BM2
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET模块。这些SiCMOSFET模块采用工业标准封装，提供半桥 (2MOSFET) 和三相 (6MOSFET) 格式。;它们还包括SiC反向恢复二极管。典型应用包括感应加热、太阳能和风能逆变器、DC-DC转换器、三相PFC、线路再生驱动器、UPS和SMPS、电机驱动器和电池充电器。; MOSFET关断尾流和二极管反向恢复电流均为0。; 超低损耗高频工作;由于SiC特性，容易并联;正常关闭，故障安全操作;铜基板和氮化铝绝缘子降低了热要求
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JPY: 2,244,000
USD: 14,076.03
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CAS300M12BM2双硅N沟道MOSFET, 404 A, 1200 V,7针半桥Wolfspeed CAS300M12BM2
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET模块。这些SiCMOSFET模块采用工业标准封装，提供半桥 (2MOSFET) 和三相 (6MOSFET) 格式。;它们还包括SiC反向恢复二极管。典型应用包括感应加热、太阳能和风能逆变器、DC-DC转换器、三相PFC、线路再生驱动器、UPS和SMPS、电机驱动器和电池充电器。; MOSFET关断尾流和二极管反向恢复电流均为0。; 超低损耗高频工作;由于SiC特性，容易并联;正常关闭，故障安全操作;铜基板和氮化铝绝缘子降低了热要求
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JPY: 225,000
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CAS300M17BM2双硅N沟道MOSFET, 325 A, 1700 V,7针半桥Wolfspeed CAS300M17BM2
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET模块。这些SiCMOSFET模块采用工业标准封装，提供半桥 (2MOSFET) 和三相 (6MOSFET) 格式。;它们还包括SiC反向恢复二极管。典型应用包括感应加热、太阳能和风能逆变器、DC-DC转换器、三相PFC、线路再生驱动器、UPS和SMPS、电机驱动器和电池充电器。; MOSFET关断尾流和二极管反向恢复电流均为0。; 超低损耗高频工作;由于SiC特性，容易并联;正常关闭，故障安全操作;铜基板和氮化铝绝缘子降低了热要求
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JPY: 2,734,000
USD: 17,149.67
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CAS300M17BM2双硅N沟道MOSFET, 325 A, 1700 V,7针半桥Wolfspeed CAS300M17BM2
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET模块。这些SiCMOSFET模块采用工业标准封装，提供半桥 (2MOSFET) 和三相 (6MOSFET) 格式。;它们还包括SiC反向恢复二极管。典型应用包括感应加热、太阳能和风能逆变器、DC-DC转换器、三相PFC、线路再生驱动器、UPS和SMPS、电机驱动器和电池充电器。; MOSFET关断尾流和二极管反向恢复电流均为0。; 超低损耗高频工作;由于SiC特性，容易并联;正常关闭，故障安全操作;铜基板和氮化铝绝缘子降低了热要求
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JPY: 274,000
USD: 1,718.73
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CAS120M12BM2双硅N沟道MOSFET, 193 A, 1200 V,7针半桥Wolfspeed CAS120M12BM2
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET模块。这些SiCMOSFET模块采用工业标准封装，提供半桥 (2MOSFET) 和三相 (6MOSFET) 格式。;它们还包括SiC反向恢复二极管。典型应用包括感应加热、太阳能和风能逆变器、DC-DC转换器、三相PFC、线路再生驱动器、UPS和SMPS、电机驱动器和电池充电器。; MOSFET关断尾流和二极管反向恢复电流均为0。; 超低损耗高频工作;由于SiC特性，容易并联;正常关闭，故障安全操作;铜基板和氮化铝绝缘子降低了热要求
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USD: 8,349.02
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CAS120M12BM2双硅N沟道MOSFET, 193 A, 1200 V,7针半桥Wolfspeed CAS120M12BM2
Wolfspeed碳化硅功率MOSFET模块。这些SiCMOSFET模块采用工业标准封装，提供半桥 (2MOSFET) 和三相 (6MOSFET) 格式。;它们还包括SiC反向恢复二极管。典型应用包括感应加热、太阳能和风能逆变器、DC-DC转换器、三相PFC、线路再生驱动器、UPS和SMPS、电机驱动器和电池充电器。; MOSFET关断尾流和二极管反向恢复电流均为0。; 超低损耗高频工作;由于SiC特性，容易并联;正常关闭，故障安全操作;铜基板和氮化铝绝缘子降低了热要求
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