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ISSI SRAM,IS61WV102416BLL-10TLI-16Mbit IS61WV102416BLL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 4,990
USD: 31.05
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ISSI SRAM,IS62WV51216BLL-55TLI-8Mbit IS62WV51216BLL-55TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 1,620
USD: 10.08
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ISSI SRAM,IS62WV25616BLL-55TLI-4 Mbit IS62WV25616BLL-55TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 174,000
USD: 1,082.63
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ISSI SRAM,IS62C256AL-45ULI-256 kbit IS62C256AL-45ULI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 36,500
USD: 227.10
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ISSI SRAM,IS62C1024AL-35QLI-1Mbit IS62C1024AL-35QLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 49,900
USD: 310.48
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ISSI SRAM,IS61LV25616AL-10TLI-4Mbit IS61LV25616AL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 163,000
USD: 1,014.19
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ISSI SRAM,IS61WV102416BLL-10TLI-16Mbit IS61WV102416BLL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 478,000
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ISSI SRAM,IS61WV12816BLL-12TLI-2Mbit IS61WV12816BLL-12TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 166,000
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ISSI SRAM,IS61WV6416DBLL-10TLI-1Mbit IS61WV6416DBLL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 70,200
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ISSI SRAM,IS61WV6416DBLL-10TLI-1Mbit IS61WV6416DBLL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 1,570
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ISSI SRAM,IS62WV51216BLL-55TLI-8Mbit IS62WV51216BLL-55TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 211,000
USD: 1,312.84
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［已停用］ISSIIS42S16160G-7TLI, SDRAM256Mbit表面贴装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16160G-7TLI
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 620
USD: 3.86
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［已停用］ISSIIS42S16400J-7TLI, SDRAM64Mbit表面安装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16400J-7TLI
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 1,190
USD: 7.40
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C256AL-12TLI-256 kbit IS61C256AL-12TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 107,000
USD: 665.75
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［已停用］ISSI SRAM,IS62WV12816BLL-55TLI-2Mbit IS62WV12816BLL-55TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 51,200
USD: 318.57
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［已停用］ISSI SRAM,IS62WV1288BLL-55HLI-1Mbit IS62WV1288BLL-55HLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 63,900
USD: 397.59
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［已停用］ISSI SRAM,IS61LV5128AL-10TLI-4Mbit IS61LV5128AL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 84,950
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［已停用］ISSI SRAM,IS62C256AL-45TLI-256 kbit IS62C256AL-45TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 35,720
USD: 222.25
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［已停用］ISSI SRAM,IS62C1024AL-35TLI-1Mbit IS62C1024AL-35TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 83,800
USD: 521.40
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C1024AL-12KLI-1Mbit IS61C1024AL-12KLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 6,590
USD: 41.00
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C1024AL-12JLI-1Mbit IS61C1024AL-12JLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 12,800
USD: 79.64
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［已停用］ISSI SRAM,IS61LV6416-10TL-1Mbit IS61LV6416-10TL
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 46,880
USD: 291.69
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［已停用］ISSIIS42S16160G-7TLI, SDRAM256Mbit表面贴装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16160G-7TLI
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 63,000
USD: 391.99
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［已停用］ISSIIS42S16160G-7TL, SDRAM256Mbit表面贴装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16160G-7TL
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 109,000
USD: 678.20
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［已停用］ISSIIS42S16160G-7TL, SDRAM256Mbit表面贴装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16160G-7TL
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 1,590
USD: 9.89
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［已停用］ISSIIS42S16400J-7TLI, SDRAM64Mbit表面安装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16400J-7TLI
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 51,300
USD: 319.19
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［已停用］ISSIIS42S16800F-7TL, SDRAM128Mbit表面安装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16800F-7TL
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 61,400
USD: 382.03
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［已停用］ISSIIS42S16800F-7TL, SDRAM128Mbit表面安装，143MHz,54-PinTSOP IS42S16800F-7TL
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 1,600
USD: 9.96
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［已停用］ISSIIS42S32400F-7TL, SDRAM128Mbit表面贴装，143MHz,86-PinTSOP IS42S32400F-7TL
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 80,400
USD: 500.25
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［已停用］ISSIIS42S32400F-7TL, SDRAM128Mbit表面贴装，143MHz,86-PinTSOP IS42S32400F-7TL
动态RAM, ISSI。ISSI SDR SDRAM系列提供具有可编程CAS延迟 (2/3时钟) 的同步接口。高速数据传输是通过管道过程实现的，同步DRAM SDR系列提供突发读写和突发读写功能，非常适合用于计算机应用。ISSI的SDR SDRAM器件具有不同的组织和内存大小，工作在3.3V电源上。LVTTL接口输入/输出信号是指时钟输入可编程突发序列的上升沿:顺序/交错;可编程突发长度随机列地址每个时钟周期自刷新和自动刷新模式
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JPY: 940
USD: 5.85
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C25616AL-10TLI-4Mbit IS61C25616AL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 72,000
USD: 447.98
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C25616AL-10TLI-4Mbit IS61C25616AL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 1,210
USD: 7.53
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C6416AL-12KLI-1Mbit IS61C6416AL-12KLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 7,910
USD: 49.22
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C6416AL-12KLI-1Mbit IS61C6416AL-12KLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 1,500
USD: 9.33
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C5128AS-25QLI-4Mbit IS61C5128AS-25QLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 93,300
USD: 580.51
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C5128AS-25QLI-4Mbit IS61C5128AS-25QLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 2,320
USD: 14.44
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C6416AL-12TLI-1Mbit IS61C6416AL-12TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 37,400
USD: 232.70
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［已停用］ISSI SRAM,IS61C6416AL-12TLI-1Mbit IS61C6416AL-12TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 910
USD: 5.66
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［已停用］ISSI SRAM,IS61WV25616BLL-10TLI-4 Mbit IS61WV25616BLL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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JPY: 67,700
USD: 421.23
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［已停用］ISSI SRAM,IS61WV25616EDBLL-10TLI-4 Mbit IS61WV25616EDBLL-10TLI
静态RAM, ISSI。ISSI静态RAM产品采用高性能CMOS技术。其中包括5V高速异步SRAM、高速低功耗异步SRAM、5V低功耗异步SRAM、超低功耗CMOS静态RAM和PowerSaverTM低功耗异步SRAM。它们适用于CPU缓存、嵌入式处理器、硬盘驱动器和工业电子开关等应用。电源:1.8V/3.3V/5V封装可用:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP配置选择可用:x8和x16ECC特性可用于高速异步DRAM
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