64-1889-21 ［已停用］IRFH8316TRPBFN沟道MOSFET, 120 A, 30 V HEXFET,8PinPQFN英飞凌 IRFH8316TRPBF
功能
- N通道功率MOSFET30V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准，降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1套 (4000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:120 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:4.3 mΩ
- 最大门限电压:2.2V
- 最小门限电压:1.2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:PQFN
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:59 W
- 宽度:5毫米
- 代码号:165-8285
| 第号命令。 | 64-1889-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IRFH8316TRPBF | |
| 标准价格 |
JPY: 209,000
USD: 1,300.40
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(4000pieces) | |
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| 日本股票 | - | |