64-1889-13 ［已停用］IRF9Z24NSTRLPBFP通道MOSFET, 12 A, 55 V HEXFET, 3针D2PAK英飞凌 IRF9Z24NSTRLPBF
功能
- P通道功率MOSFET40V至55V,英飞凌。英飞凌的一系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的P沟道器件，这些器件几乎可以应对任何电路板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准，降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1套 (800个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:12 A
- 最大漏源电压:55 V
- 最大泄漏源电阻:175 mΩ
- 最大门限电压:4V
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:D2PAK (TO-263)
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:45 W
- 最高工作温度:+175°C
- 代码号:165-8200
| 第号命令。 | 64-1889-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IRF9Z24NSTRLPBF | |
| 标准价格 |
JPY: 53,070
USD: 330.20
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(800pieces) | |
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| 日本股票 | - | |