64-1661-21 IRFB4110GPBFN沟道MOSFET, 180 A, 100 V HEXFET,3引脚TO-220AB英飞凌 IRFB4110GPBF
功能
- N通道功率MOSFET100V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1套 (2个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:180 A
- 最大漏源电压:100 V
- 最大泄漏源电阻:4.5 mΩ
- 最大门限电压:4V
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包装类型:TO-220AB
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:370 W
- 典型周转延迟时间:25 ns
- 代码号:865-5807
| 第号命令。 | 64-1661-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IRFB4110GPBF | |
| 标准价格 |
JPY: 2,120
USD: 13.19
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(2pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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