64-1456-21 ［已停用］IPD079N06L3GBTMA1 N通道MOSFET, 50 A, 60 V OptiMOS3,3-PinDPAK英飞凌 IPD079N06L3GBTMA1
功能
- 英飞凌OptiMOSTM3功率MOSFET, 60至80V。OptiMOSTM产品采用高性能封装，可应对最具挑战性的应用，在有限的空间内提供充分的灵活性。英飞凌的这些产品旨在满足并超越计算应用中日益尖锐的下一代电压调节标准对能源效率和功率密度的要求。适用于SMPS的快速开关MOSFET优化技术适用于符合JEDEC1标准的DC/DC转换器，适用于目标应用N通道、逻辑电平优秀的栅极电荷x R DS (on) 产品 (FOM) 非常低的导通电阻R DS (on) 无铅电镀
规格
- 数量:1套 (2500个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:50 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:13.5 mΩ
- 最大门限电压:2.2V
- 最小门限电压:1.2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:DPAK (TO-252)
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:79 W
- 典型门控@Vgs:22 [email protected] V
- 代码号:165-5968
| 第号命令。 | 64-1456-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IPD079N06L3GBTMA1 | |
| 标准价格 |
JPY: 178,690
USD: 1,111.81
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(2500pieces) | |
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| 日本股票 | - | |