63-8400-21 IRLS3036TRL7PPN沟道MOSFET, 300 A, 60 V HEXFET,7+TabPinD2PAK英飞凌 IRLS3036TRL7PP
功能
- N通道功率MOSFET60V至80V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素，可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准，降低传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
规格
- 数量:1套 (800个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:300 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:2.2 mΩ
- 最大门限电压:2.5V
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-16 V,+16 V
- 包类型:D2PAK (TO-263)
- 安装类型:表面安装
- Pin计数:7+Tab
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:380 W
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:168-6038
| 第号命令。 | 63-8400-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IRLS3036TRL7PP | |
| 标准价格 |
JPY: 345,000
USD: 2,146.59
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(800pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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