63-8399-39 ［已停用］IRF40H210N沟道MOSFET, 201 A, 40 V HEXFET,8PinPQFN英飞凌 IRF40H210
功能
- 强IRFETTM功率MOSFET,英飞凌。英飞凌的StrongIRFET系列针对低R DS (开) 和高电流能力进行了优化。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性，是工业低频应用的理想选择，包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理，其中性能和坚固性至关重要。
规格
- 数量:1套 (4000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:201 A
- 最大漏源电压:40 V
- 最大泄漏源电阻:1.7 mΩ
- 最大门限电压:3.7V
- 最小门限电压:2.2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:PQFN
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:125 W
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:168-5952
| 第号命令。 | 63-8399-39 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IRF40H210 | |
| 标准价格 |
JPY: 546,000
USD: 3,424.92
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| 数量 | 1set(4000pieces) | |
|
||
| 日本股票 | - | |