63-8399-21 ［已停用］IPN60R3K4CEATMA1N通道MOSFET, 2.6 A, 650 V CoolMOS CE,3+TabPinSOT-223英飞凌 IPN60R3K4CEATMA1
功能
- 英飞凌CoolMOSTCE功率MOSFET
规格
- 数量:1套 (3000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:2.6 A
- 最大漏源电压:650 V
- 最大泄漏源电阻:3.4Ω
- 最大门限电压:3.5V
- 最小门限电压:2.5V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 封装类型:SOT-223
- 安装类型:表面安装
- Pin计数:3+Tab
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:5W
- 尺寸:6.7 x 3.7 x 1.7毫米
- 代码号:168-5931
| 第号命令。 | 63-8399-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IPN60R3K4CEATMA1 | |
| 标准价格 |
JPY: 63,400
USD: 394.48
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(3000pieces) | |
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| 日本股票 | - | |