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63-4869-13 [已停用]IRFP3703PBFN沟道MOSFET, 210 A, 30 V HEXFET,3引脚TO-247AC英飞凌 IRFP3703PBF

功能

  • N通道功率MOSFET30V,英飞凌。英飞凌系列离散HEXFET®功率MOSFET包括表面贴装和引线封装中的N沟道器件。并形成因素,可以解决几乎任何板布局和热设计挑战。通过电阻范围基准降低传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

规格

  • 数量:1件
  • 信道类型:N
  • 最大持续降水电流:210 A
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大泄漏源电阻:2.8Ω
  • 最大门限电压:4V
  • 最小门限电压:2V
  • 最大栅源电压:-20 V,+20 V
  • 包类型:TO-247AC
  • 安装类型:通孔
  • 销数:3
  • 通道模式:增强
  • Category:功率MOSFET
  • 最大功耗:3.8 W
  • 系列:HEXFET
  • 代码号:543-1156
  •  
第号命令。 63-4869-13
型号号。 IRFP3703PBF
标准价格 JPY: 510 USD: 3.20
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan
数量 1piece
  已停用
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