OSI Optoelectronics

OSI 광전자제품, FCI-InGaAs-1000 IR InGaAs 포토다이오드, Through Hole TO-46, TO-5　FCI-InGaAs-1000

InGaAs 포토다이오드에서 OSI 대규모 활성 영역 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx-x 시리즈는 대규모 활성 영역 InGaAs 포토다이오드입니다. 이들은 높은 반응도(1100-1620nm)를 제공하는 IR 민감성 검출기의 범위입니다. 그것들은 평평한 창이 있는 TO-46 혹은 TO-5 포장으로 들어옵니다. 이 포토 다이오드 제품군에 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. IR 계측, 모니터링, 광 계측, 전원 측정, IR 감지 및 의료 장치.. 기능: 넓은 활성 영역: 1mm, 1.5mm 및 3mm 고감도 저소음 스펙트럼 범위: 900nm - 1700nm

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OSI 광전자, FCI-InGaAs-120L-FC InGaAs 포토 다이오드, Hole Pigtail　FCI-InGaAs-120L-FC

Osi 고속 InGaAs 포토 다이오드 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx 시리즈는 고속 InGaAs 포토다이오드입니다. Datacom 및 Telecom 어플리케이션에 적합합니다. 이러한 고속 포토다이오드는 낮은 커패시턴스, 낮은 다크 전류 및 높은 응답성을 제공하여 LAN, MAN, WAN 및 다른 고속 통신 시스템에 사용되는 높은 비트 레이트 수신기에 적합하게 만든다. 이 포토 다이오드 제품군은 3핀 격리된 TO-46 패키지 또는 1핀 알약 패키지에 있습니다. 적합한 어플리케이션에는 다음이 포함됩니다. 고속 광 통신, 광섬유 수신기, 기가비트 이더넷 및 광 탭. 기능: 고속 고응답성 저잡음 스펙트럼 범위: 900nm ~ 1700nm

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OSI 광전자, UV-035EQ UV Si 포토 다이오드, TO-8 관통 구멍　UV-035EQ

OSI UV Enhanced 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 UV 강화 시리즈는 UV 강화 실리콘 포토 다이오드의 범위입니다. 이 시리즈는 두 개의 별도의 포토 다이오드 제품군, 반전 채널 및 평면 확산 채널을 포함합니다. 이 두 패밀리는 전자기 스펙트럼의 UV 영역에서 저잡음 검출을 위해 설계되었습니다. 반전층 구조 패밀리는 100% 내부 양자 효율을 나타낸다. 높은 분로 저항(shunt resistance), 낮은 잡음(low noise) 및 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 제공하며, 이 포토 다이오드 제품군은 낮은 강도의 광 측정을 위한 아이디어이다. 평판형 확산 구조를 갖는 포토다이오드는 반전 후군에 비해 낮은 커패시턴스 및 높은 응답 시간을 제공한다. 또한 반전층 포토 다이오드에 비해 높은 광 입력 파워까지 광전류의 직형성을 나타낸다. UV Enhanced 시리즈의 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. 오염 감시, 의료 계기, 자외선 노출계, 분광, 수질 정화 및 형광.. UV 고급 시리즈의 기능: 반전층 또는 평면 확산 실리콘 포토 다이오드

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OSI 광전자기기, FCI-InGaAs-500 InGaAs 포토다이오드, Through Hole TO-46　FCI-InGaAs-500

Osi 고속 InGaAs 포토 다이오드 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx 시리즈는 고속 InGaAs 포토다이오드입니다. Datacom 및 Telecom 어플리케이션에 적합합니다. 이러한 고속 포토다이오드는 낮은 커패시턴스, 낮은 다크 전류 및 높은 응답성을 제공하여 LAN, MAN, WAN 및 다른 고속 통신 시스템에 사용되는 높은 비트 레이트 수신기에 적합하게 만든다. 이 포토 다이오드 제품군은 3핀 격리된 TO-46 패키지 또는 1핀 알약 패키지에 있습니다. 적합한 어플리케이션에는 다음이 포함됩니다. 고속 광 통신, 광섬유 수신기, 기가비트 이더넷 및 광 탭. 기능: 고속 고응답성 저잡음 스펙트럼 범위: 900nm ~ 1700nm

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OSI 광전자, PIN-10D IR Si 포토 다이오드, 서피스 마운트 BNC　PIN-10D

OSI 광전도 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자(Optoelectronics)에서 가져온 광전도 시리즈는 고속 및 고감도 응용을 위해 설계된 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다.광전도 시리즈의 스펙트럼 범위(350-1100nm)는 광전도 시리즈를 가시적 및 근접적 IR 응용에 적합하게 만듭니다. 이러한 범용 포토다이오드는 다음을 포함하는 용도에 적합합니다. 펄스 탐지기, 바코드 판독기, 광학 원격 제어, 광학 통신, 의료 장비 및 고속 광도법. 광전도 시리즈의 특징: 높은 응답성 낮은 정전용량 낮은 암전류 넓은 동적 범위

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OSI 광전자, UV-035EQ UV Si 포토 다이오드, TO-8 관통 구멍　UV-035EQ

OSI UV Enhanced 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 UV 강화 시리즈는 UV 강화 실리콘 포토 다이오드의 범위입니다. 이 시리즈는 두 개의 별도의 포토 다이오드 제품군, 반전 채널 및 평면 확산 채널을 포함합니다. 이 두 패밀리는 전자기 스펙트럼의 UV 영역에서 저잡음 검출을 위해 설계되었습니다. 반전층 구조 패밀리는 100% 내부 양자 효율을 나타낸다. 높은 분로 저항(shunt resistance), 낮은 잡음(low noise) 및 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 제공하며, 이 포토 다이오드 제품군은 낮은 강도의 광 측정을 위한 아이디어이다. 평판형 확산 구조를 갖는 포토다이오드는 반전 후군에 비해 낮은 커패시턴스 및 높은 응답 시간을 제공한다. 또한 반전층 포토 다이오드에 비해 높은 광 입력 파워까지 광전류의 직형성을 나타낸다. UV Enhanced 시리즈의 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. 오염 감시, 의료 계기, 자외선 노출계, 분광, 수질 정화 및 형광.. UV 고급 시리즈의 기능: 반전층 또는 평면 확산 실리콘 포토 다이오드

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FCI-H250G-InGaAs-70 OSI 광전자 장치, 1650nm 광검출기 증폭기, Through Hole TO-46 패키지　FCI-H250G-InGaAs-70

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FCI-H125G-InGaAs-70 OSI 광전자 장치, 1650nm 광검출기 증폭기, Through Hole TO-46 패키지　FCI-H125G-InGaAs-70

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OSI 광전자, PIN-SPOT-4D Si 포토 다이오드, Through Hole TO-5　PIN-SPOT-4D

OSI 스폿 시리즈 세그먼트 포토 다이오드 OSI Optoelectronics의 공통 기판 포토 다이오드(SPOT Series)는 인접한 요소 사이에 잘 정의된 0.127mm 간격을 갖는 별도의 활성 영역으로 분할됩니다. SPOT 시리즈 포토다이오드는 350-1100nm의 스펙트럼 응답 범위를 갖습니다. 노치 또는 대역 통과 필터를 추가하여 특정 스펙트럼 응답을 얻을 수 있습니다. 상기 위치 정보는 상기 광 스폿 직경이 셀 사이의 간격보다 클 때 획득될 수 있다. 0.1μm 이상의 높은 정확도 위치 해상도 고속 또는 펄스 작동에 적합한 빠른 응답 시간 초저암전류 우수한 응답 일치 시간 및 온도 변화에 따른 높은 안정성 적용: 공작기계 정렬, 위치 측정, 빔 센터링, 서피스 프로파일링 및 타겟팅 안내 시스템

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OSI 광전자, PIN-DL-20C PSD(Si Position Sensing Detector), 관통 구멍　PIN-DL-20C

PSD(OSI Position Sensing Detector). PSD(Position Sensing Detector) 제품군은 OSI Optoelectronics의 PSD로, 이중 측면 기술을 사용합니다. 이들은 대부분의 감지 영역에 비해 높은 위치 정확도를 제공하는 연속적인 아날로그 출력을 제공합니다. 이러한 범위의 PSD를 사용하여 하나 또는 2차원 위치를 측정할 수 있습니다. 이러한 위치 감지 검출기(PSD)에 적합한 응용 프로그램은 다음과 같습니다. 빔 정렬, 위치 감지, 각도 측정, 높이 측정 및 동작 분석 기능: 초선형 고정확도 와이드 동적 범위 고신뢰성 듀오 측면 구조

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OSI 광전자, PIN-DL-20C PSD(Si Position Sensing Detector), 관통 구멍　PIN-DL-20C

PSD(OSI Position Sensing Detector). PSD(Position Sensing Detector) 제품군은 OSI Optoelectronics의 PSD로, 이중 측면 기술을 사용합니다. 이들은 대부분의 감지 영역에 비해 높은 위치 정확도를 제공하는 연속적인 아날로그 출력을 제공합니다. 이러한 범위의 PSD를 사용하여 하나 또는 2차원 위치를 측정할 수 있습니다. 이러한 위치 감지 검출기(PSD)에 적합한 응용 프로그램은 다음과 같습니다. 빔 정렬, 위치 감지, 각도 측정, 높이 측정 및 동작 분석 기능: 초선형 고정확도 와이드 동적 범위 고신뢰성 듀오 측면 구조

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OSI 광전자, PIN-040A IR Si 포토 다이오드, TO-18 관통 구멍　PIN-040A

OSI 광전도 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자(Optoelectronics)에서 가져온 광전도 시리즈는 고속 및 고감도 응용을 위해 설계된 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다.광전도 시리즈의 스펙트럼 범위(350-1100nm)는 광전도 시리즈를 가시적 및 근접적 IR 응용에 적합하게 만듭니다. 이러한 범용 포토다이오드는 다음을 포함하는 용도에 적합합니다. 펄스 탐지기, 바코드 판독기, 광학 원격 제어, 광학 통신, 의료 장비 및 고속 광도법. 광전도 시리즈의 특징: 높은 응답성 낮은 정전용량 낮은 암전류 넓은 동적 범위

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OSI 광전자, PIN-040A IR Si 포토 다이오드, TO-18 관통 구멍　PIN-040A

OSI 광전도 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자(Optoelectronics)에서 가져온 광전도 시리즈는 고속 및 고감도 응용을 위해 설계된 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다.광전도 시리즈의 스펙트럼 범위(350-1100nm)는 광전도 시리즈를 가시적 및 근접적 IR 응용에 적합하게 만듭니다. 이러한 범용 포토다이오드는 다음을 포함하는 용도에 적합합니다. 펄스 탐지기, 바코드 판독기, 광학 원격 제어, 광학 통신, 의료 장비 및 고속 광도법. 광전도 시리즈의 특징: 높은 응답성 낮은 정전용량 낮은 암전류 넓은 동적 범위

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PIN-UDT-455 OSI 광전자 장치, 970nm 적외선 광검출기 증폭기, Through Hole TO-5 패키지　PIN-UDT-455

OSI Photops Photodiode-Amplifier 하이브리드 OSI 광전자공학(Optoelectronics)의 Photops 시리즈는 포토다이오드-증폭기 하이브리드입니다. 그들은 동일한 패키지 내에서 연산 증폭기를 결합시킨다. 내장형 패키지는 다양한 작동 조건에서 낮은 소음 출력을 보장합니다. Photops 시리즈에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 범용 광원 감지, 레이저 전원 모니터링, 바코드 판독기, 산업 제어 센서 및 안내 시스템. Photops 시리즈의 특징: 검출기 및 증폭기 결합 조정 가능한 이득/대역폭 저잡음 DIP 패키지 넓은 활성 영역

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PIN-UDT-455 OSI 광전자 장치, 970nm 적외선 광검출기 증폭기, Through Hole TO-5 패키지　PIN-UDT-455

OSI Photops Photodiode-Amplifier 하이브리드 OSI 광전자공학(Optoelectronics)의 Photops 시리즈는 포토다이오드-증폭기 하이브리드입니다. 그들은 동일한 패키지 내에서 연산 증폭기를 결합시킨다. 내장형 패키지는 다양한 작동 조건에서 낮은 소음 출력을 보장합니다. Photops 시리즈에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 범용 광원 감지, 레이저 전원 모니터링, 바코드 판독기, 산업 제어 센서 및 안내 시스템. Photops 시리즈의 특징: 검출기 및 증폭기 결합 조정 가능한 이득/대역폭 저잡음 DIP 패키지 넓은 활성 영역

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OSI 광전자제품, FCI-InGaAs-1000 IR InGaAs 포토다이오드, Through Hole TO-46, TO-5　FCI-INGAAS-1000

InGaAs 포토다이오드에서 OSI 대규모 활성 영역 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx-x 시리즈는 대규모 활성 영역 InGaAs 포토다이오드입니다. 이들은 높은 반응도(1100-1620nm)를 제공하는 IR 민감성 검출기의 범위입니다. 그것들은 평평한 창이 있는 TO-46 혹은 TO-5 포장으로 들어옵니다. 이 포토 다이오드 제품군에 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. IR 계측, 모니터링, 광 계측, 전원 측정, IR 감지 및 의료 장치.. 기능: 넓은 활성 영역: 1mm, 1.5mm 및 3mm 고감도 저소음 스펙트럼 범위: 900nm - 1700nm

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OSI 광전자, PIN-5DI IR + 가시광선 Si 포토 다이오드, Through Hole TO-5　PIN-5DI

OSI 광전도 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자(Optoelectronics)에서 가져온 광전도 시리즈는 고속 및 고감도 응용을 위해 설계된 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다.광전도 시리즈의 스펙트럼 범위(350-1100nm)는 광전도 시리즈를 가시적 및 근접적 IR 응용에 적합하게 만듭니다. 이러한 범용 포토다이오드는 다음을 포함하는 용도에 적합합니다. 펄스 탐지기, 바코드 판독기, 광학 원격 제어, 광학 통신, 의료 장비 및 고속 광도법. 광전도 시리즈의 특징: 높은 응답성 낮은 정전용량 낮은 암전류 넓은 동적 범위

OSI Optoelectronics

OSI 광전자, PIN-5DI IR + 가시광선 Si 포토 다이오드, Through Hole TO-5　PIN-5DI

OSI 광전도 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자(Optoelectronics)에서 가져온 광전도 시리즈는 고속 및 고감도 응용을 위해 설계된 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다.광전도 시리즈의 스펙트럼 범위(350-1100nm)는 광전도 시리즈를 가시적 및 근접적 IR 응용에 적합하게 만듭니다. 이러한 범용 포토다이오드는 다음을 포함하는 용도에 적합합니다. 펄스 탐지기, 바코드 판독기, 광학 원격 제어, 광학 통신, 의료 장비 및 고속 광도법. 광전도 시리즈의 특징: 높은 응답성 낮은 정전용량 낮은 암전류 넓은 동적 범위

OSI Optoelectronics

OSI 광전자, FCI-InGaAs-Q3000 InGaAs 포토 다이오드, Through Hole TO-8　FCI-INGAAS-Q3000

InGaAs 포토다이오드에서 OSI 대규모 활성 영역 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx-x 시리즈는 대규모 활성 영역 InGaAs 포토다이오드입니다. 이들은 높은 반응도(1100-1620nm)를 제공하는 IR 민감성 검출기의 범위입니다. 그것들은 평평한 창이 있는 TO-46 혹은 TO-5 포장으로 들어옵니다. 이 포토 다이오드 제품군에 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. IR 계측, 모니터링, 광 계측, 전원 측정, IR 감지 및 의료 장치.. 기능: 넓은 활성 영역: 1mm, 1.5mm 및 3mm 고감도 저소음 스펙트럼 범위: 900nm - 1700nm

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OSI 광전자, FCI-InGaAs-Q3000 InGaAs 포토 다이오드, Through Hole TO-8　FCI-InGaAs-Q3000

InGaAs 포토다이오드에서 OSI 대규모 활성 영역 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx-x 시리즈는 대규모 활성 영역 InGaAs 포토다이오드입니다. 이들은 높은 반응도(1100-1620nm)를 제공하는 IR 민감성 검출기의 범위입니다. 그것들은 평평한 창이 있는 TO-46 혹은 TO-5 포장으로 들어옵니다. 이 포토 다이오드 제품군에 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. IR 계측, 모니터링, 광 계측, 전원 측정, IR 감지 및 의료 장치.. 기능: 넓은 활성 영역: 1mm, 1.5mm 및 3mm 고감도 저소음 스펙트럼 범위: 900nm - 1700nm

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OSI 광전자, PIN DL-4 Si 포토 다이오드, TO-8 관통 구멍　PIN DL-4

PSD(OSI Position Sensing Detector). PSD(Position Sensing Detector) 제품군은 OSI Optoelectronics의 PSD로, 이중 측면 기술을 사용합니다. 이들은 대부분의 감지 영역에 비해 높은 위치 정확도를 제공하는 연속적인 아날로그 출력을 제공합니다. 이러한 범위의 PSD를 사용하여 하나 또는 2차원 위치를 측정할 수 있습니다. 이러한 위치 감지 검출기(PSD)에 적합한 응용 프로그램은 다음과 같습니다. 빔 정렬, 위치 감지, 각도 측정, 높이 측정 및 동작 분석 기능: 초선형 고정확도 와이드 동적 범위 고신뢰성 듀오 측면 구조

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OSI 광전자, PIN DL-4 Si 포토 다이오드, TO-8 관통 구멍　PIN DL-4

PSD(OSI Position Sensing Detector). PSD(Position Sensing Detector) 제품군은 OSI Optoelectronics의 PSD로, 이중 측면 기술을 사용합니다. 이들은 대부분의 감지 영역에 비해 높은 위치 정확도를 제공하는 연속적인 아날로그 출력을 제공합니다. 이러한 범위의 PSD를 사용하여 하나 또는 2차원 위치를 측정할 수 있습니다. 이러한 위치 감지 검출기(PSD)에 적합한 응용 프로그램은 다음과 같습니다. 빔 정렬, 위치 감지, 각도 측정, 높이 측정 및 동작 분석 기능: 초선형 고정확도 와이드 동적 범위 고신뢰성 듀오 측면 구조

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OSI 광전자, PIN-SPOT-9DMI Si 포토 다이오드, Through Hole Low Profile　PIN-SPOT-9DMI

OSI 스폿 시리즈 세그먼트 포토 다이오드 OSI Optoelectronics의 공통 기판 포토 다이오드(SPOT Series)는 인접한 요소 사이에 잘 정의된 0.127mm 간격을 갖는 별도의 활성 영역으로 분할됩니다. SPOT 시리즈 포토다이오드는 350-1100nm의 스펙트럼 응답 범위를 갖습니다. 노치 또는 대역 통과 필터를 추가하여 특정 스펙트럼 응답을 얻을 수 있습니다. 상기 위치 정보는 상기 광 스폿 직경이 셀 사이의 간격보다 클 때 획득될 수 있다. 0.1μm 이상의 높은 정확도 위치 해상도 고속 또는 펄스 작동에 적합한 빠른 응답 시간 초저암전류 우수한 응답 일치 시간 및 온도 변화에 따른 높은 안정성 적용: 공작기계 정렬, 위치 측정, 빔 센터링, 서피스 프로파일링 및 타겟팅 안내 시스템

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OSI 광전자, PIN-SPOT-9DMI Si 포토 다이오드, Through Hole Low Profile　PIN-SPOT-9DMI

OSI 스폿 시리즈 세그먼트 포토 다이오드 OSI Optoelectronics의 공통 기판 포토 다이오드(SPOT Series)는 인접한 요소 사이에 잘 정의된 0.127mm 간격을 갖는 별도의 활성 영역으로 분할됩니다. SPOT 시리즈 포토다이오드는 350-1100nm의 스펙트럼 응답 범위를 갖습니다. 노치 또는 대역 통과 필터를 추가하여 특정 스펙트럼 응답을 얻을 수 있습니다. 상기 위치 정보는 상기 광 스폿 직경이 셀 사이의 간격보다 클 때 획득될 수 있다. 0.1μm 이상의 높은 정확도 위치 해상도 고속 또는 펄스 작동에 적합한 빠른 응답 시간 초저암전류 우수한 응답 일치 시간 및 온도 변화에 따른 높은 안정성 적용: 공작기계 정렬, 위치 측정, 빔 센터링, 서피스 프로파일링 및 타겟팅 안내 시스템

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OSI 광전자기기, FCI-InGaAs-120 InGaAs 포토다이오드, Through Hole TO-46　FCI-InGaAs-120

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OSI 광전자기기, FCI-InGaAs-500 InGaAs 포토다이오드, Through Hole TO-46　FCI-INGAAS-500

Osi 고속 InGaAs 포토 다이오드 OSI Optoelectronics의 FCI-InGaAs-xxx 시리즈는 고속 InGaAs 포토다이오드입니다. Datacom 및 Telecom 어플리케이션에 적합합니다. 이러한 고속 포토다이오드는 낮은 커패시턴스, 낮은 다크 전류 및 높은 응답성을 제공하여 LAN, MAN, WAN 및 다른 고속 통신 시스템에 사용되는 높은 비트 레이트 수신기에 적합하게 만든다. 이 포토 다이오드 제품군은 3핀 격리된 TO-46 패키지 또는 1핀 알약 패키지에 있습니다. 적합한 어플리케이션에는 다음이 포함됩니다. 고속 광 통신, 광섬유 수신기, 기가비트 이더넷 및 광 탭. 기능: 고속 고응답성 저잡음 스펙트럼 범위: 900nm ~ 1700nm

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OSI 광전자, PIN-10D IR Si 포토 다이오드, 서피스 마운트 BNC　PIN-10D

OSI 광전도 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자(Optoelectronics)에서 가져온 광전도 시리즈는 고속 및 고감도 응용을 위해 설계된 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다.광전도 시리즈의 스펙트럼 범위(350-1100nm)는 광전도 시리즈를 가시적 및 근접적 IR 응용에 적합하게 만듭니다. 이러한 범용 포토다이오드는 다음을 포함하는 용도에 적합합니다. 펄스 탐지기, 바코드 판독기, 광학 원격 제어, 광학 통신, 의료 장비 및 고속 광도법. 광전도 시리즈의 특징: 높은 응답성 낮은 정전용량 낮은 암전류 넓은 동적 범위

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OSI 광전자, PIN-UV-100DQC UV Si 포토 다이오드, 관통 구멍 세라믹　PIN-UV-100DQC

OSI UV Enhanced 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 UV 강화 시리즈는 UV 강화 실리콘 포토 다이오드의 범위입니다. 이 시리즈는 두 개의 별도의 포토 다이오드 제품군, 반전 채널 및 평면 확산 채널을 포함합니다. 이 두 패밀리는 전자기 스펙트럼의 UV 영역에서 저잡음 검출을 위해 설계되었습니다. 반전층 구조 패밀리는 100% 내부 양자 효율을 나타낸다. 높은 분로 저항(shunt resistance), 낮은 잡음(low noise) 및 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 제공하며, 이 포토 다이오드 제품군은 낮은 강도의 광 측정을 위한 아이디어이다. 평판형 확산 구조를 갖는 포토다이오드는 반전 후군에 비해 낮은 커패시턴스 및 높은 응답 시간을 제공한다. 또한 반전층 포토 다이오드에 비해 높은 광 입력 파워까지 광전류의 직형성을 나타낸다. UV Enhanced 시리즈의 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. 오염 감시, 의료 계기, 자외선 노출계, 분광, 수질 정화 및 형광.. UV 고급 시리즈의 기능: 반전층 또는 평면 확산 실리콘 포토 다이오드

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OSI 광전자, PIN-UV-100DQC UV Si 포토 다이오드, 관통 구멍 세라믹　PIN-UV-100DQC

OSI UV Enhanced 시리즈 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 UV 강화 시리즈는 UV 강화 실리콘 포토 다이오드의 범위입니다. 이 시리즈는 두 개의 별도의 포토 다이오드 제품군, 반전 채널 및 평면 확산 채널을 포함합니다. 이 두 패밀리는 전자기 스펙트럼의 UV 영역에서 저잡음 검출을 위해 설계되었습니다. 반전층 구조 패밀리는 100% 내부 양자 효율을 나타낸다. 높은 분로 저항(shunt resistance), 낮은 잡음(low noise) 및 높은 파괴 전압(breakdown voltage)을 제공하며, 이 포토 다이오드 제품군은 낮은 강도의 광 측정을 위한 아이디어이다. 평판형 확산 구조를 갖는 포토다이오드는 반전 후군에 비해 낮은 커패시턴스 및 높은 응답 시간을 제공한다. 또한 반전층 포토 다이오드에 비해 높은 광 입력 파워까지 광전류의 직형성을 나타낸다. UV Enhanced 시리즈의 적합한 응용 프로그램에는 다음이 포함됩니다. 오염 감시, 의료 계기, 자외선 노출계, 분광, 수질 정화 및 형광.. UV 고급 시리즈의 기능: 반전층 또는 평면 확산 실리콘 포토 다이오드

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OSI 광전자, APD15-8-150-TO5 IR Si 포토 다이오드, Through Hole TO-5　APD15-8-150-TO5

OSI APD 시리즈 8-150 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 제공하는 APD 시리즈 8-150은 800nm 파장으로 작동하기 위해 최적화된 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 제품군입니다. 그들은 0.2, 0.5, 1 또는 1.5mm 활성 영역 지름 옵션이 있는 밀폐형 금속 패키지로 제공됩니다. APD 시리즈 8-150 포토다이오드는 최대 1GHz 대역폭에서 낮은 잡음과 높은 감도를 제공합니다. APD 8-150 포토다이오드에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 광섬유통신, 레이저거리측정기, 고속측광.. APD 시리즈 8-150의 특징: 패키지: TO-52 및 TO-5 저온 계수: 0.45 V/C 고감도 저소음 고대역폭 작동 온도: -40°C ~ +100°C

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OSI 광전자, APD15-8-150-TO5 IR Si 포토 다이오드, Through Hole TO-5　APD15-8-150-TO5

OSI APD 시리즈 8-150 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 제공하는 APD 시리즈 8-150은 800nm 파장으로 작동하기 위해 최적화된 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 제품군입니다. 그들은 0.2, 0.5, 1 또는 1.5mm 활성 영역 지름 옵션이 있는 밀폐형 금속 패키지로 제공됩니다. APD 시리즈 8-150 포토다이오드는 최대 1GHz 대역폭에서 낮은 잡음과 높은 감도를 제공합니다. APD 8-150 포토다이오드에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 광섬유통신, 레이저거리측정기, 고속측광.. APD 시리즈 8-150의 특징: 패키지: TO-52 및 TO-5 저온 계수: 0.45 V/C 고감도 저소음 고대역폭 작동 온도: -40°C ~ +100°C

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OSI 광전자, APD05-8-150-T52L IR Si 포토 다이오드, 관통 구멍 TO-52　APD05-8-150-T52L

OSI APD 시리즈 8-150 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 제공하는 APD 시리즈 8-150은 800nm 파장으로 작동하기 위해 최적화된 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 제품군입니다. 그들은 0.2, 0.5, 1 또는 1.5mm 활성 영역 지름 옵션이 있는 밀폐형 금속 패키지로 제공됩니다. APD 시리즈 8-150 포토다이오드는 최대 1GHz 대역폭에서 낮은 잡음과 높은 감도를 제공합니다. APD 8-150 포토다이오드에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 광섬유통신, 레이저거리측정기, 고속측광.. APD 시리즈 8-150의 특징: 패키지: TO-52 및 TO-5 저온 계수: 0.45 V/C 고감도 저소음 고대역폭 작동 온도: -40°C ~ +100°C

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OSI 광전자, APD05-8-150-T52L IR Si 포토 다이오드, 관통 구멍 TO-52　APD05-8-150-T52L

OSI APD 시리즈 8-150 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 제공하는 APD 시리즈 8-150은 800nm 파장으로 작동하기 위해 최적화된 실리콘 애벌란치 포토 다이오드 제품군입니다. 그들은 0.2, 0.5, 1 또는 1.5mm 활성 영역 지름 옵션이 있는 밀폐형 금속 패키지로 제공됩니다. APD 시리즈 8-150 포토다이오드는 최대 1GHz 대역폭에서 낮은 잡음과 높은 감도를 제공합니다. APD 8-150 포토다이오드에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 광섬유통신, 레이저거리측정기, 고속측광.. APD 시리즈 8-150의 특징: 패키지: TO-52 및 TO-5 저온 계수: 0.45 V/C 고감도 저소음 고대역폭 작동 온도: -40°C ~ +100°C

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OSI 광전자, FCI-InGaAs-Q1000 InGaAs 포토 다이오드, Through Hole TO-5　FCI-InGaAs-Q1000

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OSI 광전자, UV-100L Si 포토 다이오드, 관통 구멍 로우 프로파일　UV-100L

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OSI 광전자, PIN-RD100 가시광선 Si 포토 다이오드, 관통 구멍 세라믹　PIN-RD100

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OSI 광전자, PIN-RD15 가시광선 Si 포토 다이오드, TO-8 관통 구멍　PIN-RD15

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［단종］OSI Optoelectronics, OSD15-5T Si Photodiode, Through Hole TO-8 패키지　OSD15-5T

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［단종］OSI 광전자, PIN-25DP 가시광 Si 포토 다이오드, 서피스 마운트 BNC　PIN-25DP

이러한 포토 다이오드는 수 볼트 이상의 역 바이어스를 적용하여 역 바이어싱되도록 설계되지 않았습니다(>3V)는 영구적으로 손상됩니다. OSI 광발트계 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 가져온 Photovoltaic 시리즈는 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다. 이러한 범용 포토 다이오드는 높은 민감도와 중간 수준의 응답 속도를 필요로 하는 어플리케이션에 적합합니다. 그들의 스펙트럼 응답 범위(350-1100nm)는 가시성 및 IR 응용에 적합한 규칙적인 광전지 시리즈를 만듭니다. Photovoltaic 시리즈는 높은 분로 저항(shunt resistance)과 낮은 잡음(low noise)을 제공한다. 그것들은 또한 장기적인 안정성을 보여줍니다. Photovoltaic 시리즈에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 색도계, 광도계, 분광기기 및 형광.. Photovoltaic 시리즈의 특징: 초저잡음 고분로 저항 와이드 동적 블루 강화

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［단종］OSI 광전자, PIN-25DP 가시광 Si 포토 다이오드, 서피스 마운트 BNC　PIN-25DP

이러한 포토 다이오드는 수 볼트 이상의 역 바이어스를 적용하여 역 바이어싱되도록 설계되지 않았습니다(>3V)는 영구적으로 손상됩니다. OSI 광발트계 포토 다이오드 OSI 광전자 장치에서 가져온 Photovoltaic 시리즈는 평면 확산 실리콘 포토다이오드입니다. 이러한 범용 포토 다이오드는 높은 민감도와 중간 수준의 응답 속도를 필요로 하는 어플리케이션에 적합합니다. 그들의 스펙트럼 응답 범위(350-1100nm)는 가시성 및 IR 응용에 적합한 규칙적인 광전지 시리즈를 만듭니다. Photovoltaic 시리즈는 높은 분로 저항(shunt resistance)과 낮은 잡음(low noise)을 제공한다. 그것들은 또한 장기적인 안정성을 보여줍니다. Photovoltaic 시리즈에 적합한 용도는 다음과 같습니다. 색도계, 광도계, 분광기기 및 형광.. Photovoltaic 시리즈의 특징: 초저잡음 고분로 저항 와이드 동적 블루 강화