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Silicon LabsSI8261BAD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　SI8261BAD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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Silicon LabsSi8261ABD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　Si8261ABD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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Silicon LabsSi8261BAD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　Si8261BAD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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Silicon LabsSi8261ABC-C-IP隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，PDIP　Si8261ABC-C-IP

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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Silicon LabsSI8752AB-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器8针，SOIC　SI8752AB-IS

Si875x隔离FET驱动器，硅实验室。Si875x将坚固的CMOS隔离技术与MOSFET驱动器相结合，建立了一个完整的隔离开关。Si8751上的输入端电压为2.25 V至5.5 V.Si8751数字CMOS引脚控制输入Si8752二极管仿真输入10 V输出，输入电流为1 mA内部产生的二次侧电源Miller钳盖支持减少电感颤振输出支持驱动DC或AC负载配置固态继电器 (SSR) 或机电继电器更换

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Silicon LabsSi8261AAC-C-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，SOIC　Si8261AAC-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及比光电驱动器更好的共模抑制。

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Silicon LabsSI8261BBC-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，SOIC　SI8261BBC-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及比光电驱动器更好的共模抑制。

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Silicon LabsSi8261BBC-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，SOIC　Si8261BBC-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及比光电驱动器更好的共模抑制。

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Silicon LabsSI8233BD-D-IS双隔离驱动MOSFET电源驱动，4A16针，SOIC　SI8233BD-D-IS

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［已停用］Silicon LabsSI8230BB-D-IS1双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，0.5A 16针，SOIC　SI8230BB-D-IS1

Si822x/Si823xISOdriver隔离栅极驱动器，Silicon Labs。Silicon LabsSi8220/1是“自动输入”，封装和引脚兼容的单通道隔离栅极驱动器升级到HCPL-3120和其他光学耦合栅极驱动器。连接到光电耦合器外部输入电路(例如电压源和串联限流电阻)，并提供性能和可靠性的重大改进。Silicon LabsSi823x系列隔离驱动程序系列将两个独立的隔离驱动程序集成到一个包中，用于创建高边/低边驱动程序 (Si8230/1/3/4) 或双驱动程序 (Si8232/5) 。这些器件具有传统的高侧和低侧数字输入或PWM输入控制接口。

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［已停用］Silicon LabsSi8261BAC-C-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，SOIC　Si8261BAC-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI82390AD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82390AD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82390CD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82390CD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82394AD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82394AD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82394BD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82394BD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82394CD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82394CD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82395CD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82395CD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82396BD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82396BD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82397AD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82397AD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82397BD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82397BD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82396CD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82396CD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82398BD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82398BD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82397CD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82397CD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI82398AD-IS双隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器16针，SOIC W　SI82398AD-IS

Si8239x数字隔离驱动器，硅实验室。将两个独立的驱动程序与一个独立的输入控制或一个用于高功率应用的单一输入相结合。所有操作与2.5 V的输入VDD和24 V的最大驱动电源电压完美的驱动功率MOSFET和IGBT支持高达5 kVrms的耐压。它们具有高CMTI (100 kV/μs) ，低传播延迟，低倾斜和减少变化的温度，年龄和部分到部分。输出UVLO故障检测和反馈提供两个驱动程序的自动关闭。所有产品均采用16针宽SOIC封装，隔离等级为5kVrms。Si82390AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054469) Si82390BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054463) Si82390CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强型UVLO和状态销，延迟启动时间 (RS 9054472) Si82395AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054497) Si82395BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS 9054491) Si82395CD-IS-双，VIA, VIA, VIB,8VUVLO状态销，延迟启动时间 (RS) 、VIB, 12 V UVLO状态引脚，延迟启动时间 (RS 9054501) Si82397AD-IS-双，VIA, VIB, 6 V延迟启动时间 (RS 9054510) Si82397BD-IS-双，VIA, VIB, 8 V延迟启动时间 (RS 9054514) Si82397CD-IS-双，VIA, VIB, 9054469 V延迟启动时间 (RS 9054463) 。Si82391AD-IS-双，VIA, VIB,6V增强UVLO和状态销 (RS 9054475) Si82391BD-IS-双，VIA, VIB,8V增强UVLO和状态销 (RS 9054479) Si82391CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V增强UVLO和状态销 (RS 9054488) Si82396AD-IS-双，VIA, VIB,6VUVLO状态销 (RS 9054504) Si82396BD-IS-双，VIA, VIB,8VUVLO状态销 (RS 9054508) Si82396CD-IS-双，VIA, VIB, 12 V UVLO状态销 (RS 9054517) Si82394AD-IS-HS/LS, PWM,、6 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054481) Si82394BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054485) Si82394CD-IS-HS/LS、PWM、9054475 V UVLO状态销、延迟启动时间 (RS 9054479) Si82398AD-IS-HS/LS、PWM、6 V UVLO状态销 (RS 12) Si82398BD-IS-HS/LS、PWM、8 V UVLO状态销 (RS 9054488) Si82398CD-IS-HS/LS、PWM、9054504 V UVLO状态销 (RS 9054508)

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［已停用］Silicon LabsSI8261AAD-C-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A6针，SDIP　SI8261AAD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261ABD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　SI8261ABD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261ACC-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　SI8261ACD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261BBD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　SI8261BBD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261BCD-C-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A6针，SDIP　SI8261BCD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSi8261AAD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　Si8261AAD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSi8261ACDC-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　Si8261ACD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSi8261BBD-C-IS隔离栅极驱动MOSFET电源驱动，4A6针，SDIP　Si8261BBD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSi8261BCD-C-IS隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A6针，SDIP　Si8261BCD-C-IS

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261ABC-C-IP隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，PDIP　SI8261ABC-C-IP

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261BAC-C-IP隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，PDIP　SI8261BAC-C-IP

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261BBC-IP隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，PDIP　SI8261BBC-C-IP

Si826x系列隔离门驱动器，硅实验室。Silicon LabsSi826x系列ISOdrivers是流行的栅极驱动光耦的引脚兼容插入式升级。这些器件是驱动功率MOSFET和IGBT的理想选择，用于各种变频器和电机控制应用。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，支持高达5.0 kV的RMS,该技术可实现更高的性能，减少随温度和年龄的变化，更紧密的部件对部件的匹配，以及优于光电驱动器的共模抑制。

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［已停用］Silicon LabsSI8261BCC-C-IP隔离栅极驱动器MOSFET电源驱动器，4A8针，PDIP　SI8261BCC-C-IP

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