64-2794-21 ［已停用］SiS106DN-T1-GE3N通道MOSFET, 16 A, 60 V TrenchFET,8-针1212 Vishay Siliconix SiS106DN-T1-GE3
规格
- 数量:1套 (3000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:16 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:20 mΩ
- 最大门限电压:2V
- 最小门限电压:4V
- 最大栅源电压:±20 V
- 包类型:1212
- 安装类型:表面安装
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:24 W
- 正向二极管电压:1.2V
- 代码号:178-3692
| 第号命令。 | 64-2794-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | SiS106DN-T1-GE3 | |
| 标准价格 |
JPY: 194,000
USD: 1,207.07
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(3000pieces) | |
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| 日本股票 | - | |