64-2794-13 SiDR392DP-T1-GE3N通道MOSFET, 100 A, 30 V TrenchFET,8PinSO-8Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3
规格
- 数量:1套 (3000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:100 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大漏源电阻:900μΩ
- 最大门限电压:2.2V
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:+20 V,+6 V
- 封装类型:SO-8
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:125 W
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:178-3670
| 第号命令。 | 64-2794-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | SiDR392DP-T1-GE3 | |
| 标准价格 |
JPY: 968,000
USD: 6,022.90
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(3000pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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