64-2004-21 ［已停用］FQT4N20LTFN沟道MOSFET, 850 mA, 200 V QFET,3+TabPinSOT-223安森美半导体 FQT4N20LTF
功能
- QFET®N沟道MOSFET,高达5.9A,飞兆半导体。飞兆半导体的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，可为各种应用提供一流的操作性能，包括电源、PFC (功率因数校正) 、DC-DC转换器、等离子显示面板 (PDP) 、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS (on) ) 降低导通状态损耗，并通过降低栅电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 降低开关损耗。通过采用先进的QFET®工艺技术，飞兆半导体可以提供比竞争平面MOSFET器件更好的性能指标 (FOM) 。
规格
- 数量:1套 (4000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:850毫安
- 最大漏源电压:200 V
- 最大泄漏源电阻:1.35Ω
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-223
- 安装类型:表面安装
- Pin计数:3+Tab
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:2.2 W
- 典型的关机延迟时间:15 ns
- 代码号:166-1837
| 第号命令。 | 64-2004-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FQT4N20LTF | |
| 标准价格 |
JPY: 276,000
USD: 1,717.27
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(4000pieces) | |
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| 日本股票 | - | |