64-2003-82 NVF3055L108T1GN沟道MOSFET,3A, 60 V,3+TabPinSOT-223安森美半导体 NVF3055L108T1G
功能
- N沟道功率MOSFET,60V,安森美半导体
规格
- 数量:1套 (1000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:3A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:120 mΩ
- 最大门限电压:2V
- 最大栅源电压:-15 V,+15 V
- 封装类型:SOT-223
- 安装类型:表面安装
- Pin计数:3+Tab
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:2.1 W
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:163-0802
| 第号命令。 | 64-2003-82 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | NVF3055L108T1G | |
| 标准价格 |
JPY: 91,800
USD: 575.84
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| 数量 | 1set(1000pieces) | |
| 日本股票 |
|
|
| 供应商存货 |
|
|