64-1925-01 ［已停用］半NST65011MW6T1G双NPN晶体管，100 mA, 65 V,6-引脚SOT-363 NST65011MW6T1G
功能
- 双匹配双极晶体管，安森美半导体。单封装的NPN或PNP双极晶体管对，与基极-发射极电压 (V BE) 和电流增益 (h FE) 相匹配。
规格
- 数量:1袋 (100个)
- 晶体管类型:NPN
- 最大直流收集器电流:100 mA
- 最大收集器发射器电压:65 V
- 封装类型:SOT-363 (SC-88)
- 安装类型:表面安装
- 最大功耗:380 mW
- 最小直流电流增益:150
- 晶体管配置:隔离
- 最大收集器基础电压:80 V
- 最大发射极基础电压:6V
- 最大工作频率:100 MHz
- 销数:6
- 每个芯片的元素数:2
- 最高工作温度:+150°C
- 代码号:920-9896
| 第号命令。 | 64-1925-01 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | NST65011MW6T1G | |
| 标准价格 |
JPY: 1,480
USD: 9.21
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| 数量 | 1bag(100pieces) | |
|
||
| 日本股票 | - | |