64-1687-21 ［已停用］MMF60R190PTHN沟道MOSFET, 20 A, 600 V,3引脚TO-220FMagnaChip MMF60R190PTH
功能
- 超结 (SJ) MOSFET。这些MOSFET使用MagnaChip的Super Junction技术提供低导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它们是高效的。低EMI低功耗，高速开关低电阻
规格
- 数量:1套 (50个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:20 A
- 最大漏源电压:600 V
- 最大泄漏源电阻:190 mΩ
- 最大门限电压:4V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包装类型:TO-220F
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:34 W
- 典型输入电容@Vds:1630 pF@25 V
- 代码号:170-3040
| 第号命令。 | 64-1687-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | MMF60R190PTH | |
| 标准价格 |
JPY: 15,470
USD: 96.97
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(50pieces) | |
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| 日本股票 | - | |