ON Semiconductor

64-1503-39 安森美半导体NGTB40N65FL2WGIGBT, 80 A 650 V,3针TO-247 NGTB40N65FL2WG

功能

  • IGBT Discretes,安森美半导体。绝缘栅双极晶体管 (IGBT) ,用于电机驱动和其他大电流开关应用。

规格

  • 数量:1袋 (2个)
  • 最大连续收集器电流:80 A
  • 最大收集器发射器电压:650 V
  • 最大栅极发射器电压:±20V
  • 最大功耗:366 W
  • 包类型:TO-247
  • 安装类型:通孔
  • 信道类型:N
  • 销数:3
  • 切换速度:1MHz
  • 晶体管配置:单一
  • 长度:16.26毫米
  • 宽度:5.3毫米
  • 高度:21.08毫米
  • 尺寸:16.26 x 5.3 x 21.08mm
  • 最低工作温度:-55°C
  • 代码号:842-7905
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第号命令。 64-1503-39
型号号。 NGTB40N65FL2WG
标准价格 JPY: 2,260 USD: 14.17
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
数量 1bag(2pieces)
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