64-1295-21 ［已停用］NVD5867NLT4GN通道MOSFET, 22 A, 60 V, 3针DPAK安森美半导体 NVD5867NLT4G
功能
- N沟道功率MOSFET,60V,安森美半导体
规格
- 数量:1袋 (25个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:22 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:50 mΩ
- 最大门限电压:2.5V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:DPAK (TO-252)
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:43 W
- 典型的关机延迟时间:18.2 ns
- 代码号:802-1099
| 第号命令。 | 64-1295-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | NVD5867NLT4G | |
| 标准价格 |
JPY: 1,570
USD: 9.77
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(25pieces) | |
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| 日本股票 | - | |