64-0684-39 ［已停用］Si1308EDL-T1-GE3N沟道MOSFET, 1.5 A, 30 V,3-引脚SOT-323Vishay Si1308EDL-T1-GE3
功能
- N沟道MOSFET,30V至50V, Vishay半导体
规格
- 数量:1袋 (25个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:1.5 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:185 mΩ
- 最小门限电压:0.6V
- 最大栅源电压:-12 V,+12 V
- 封装类型:SOT-323 (SC-70)
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- 最大功耗:400 mW
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:787-9121
| 第号命令。 | 64-0684-39 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | Si1308EDL-T1-GE3 | |
| 标准价格 |
JPY: 1,480
USD: 9.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(25pieces) | |
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| 日本股票 | - | |