64-0647-21 NTMD4N03R2G双N通道MOSFET,4A, 30 V,8针SOIC安森美半导体 NTMD4N03R2G
功能
- 双N沟道MOSFET,安森美半导体
规格
- 数量:1袋 (10个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:4A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:80 mΩ
- 最大门限电压:3V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOIC
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:2W
- 晶体管材料:Si
- 代码号:780-0674
| 第号命令。 | 64-0647-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | NTMD4N03R2G | |
| 标准价格 |
JPY: 1,460
USD: 9.08
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(10pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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