64-0545-21 ［已停用］FDB070AN06A0 N沟道MOSFET, 80 A, 60 V PowerTrench,3针D2PAK安森美半导体 FDB070AN06A0
功能
- PowerTrench®N沟道MOSFET,超过60A,飞兆半导体
规格
- 数量:1件
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:80 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:15 mΩ
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包类型:D2PAK (TO-263)
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:175 W
- 最高工作温度:+175°C
- 代码号:759-8942
| 第号命令。 | 64-0545-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDB070AN06A0 | |
| 标准价格 |
JPY: 250
USD: 1.56
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1piece | |
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| 日本股票 | - | |