64-0346-13 IXFK26N120PN沟道MOSFET, 26 A, 1200 V HiperFET,极性，3针TO-264IXYS IXFK26N120P
功能
- N沟道功率MOSFET, IXYS HiperFETTM极光系列。带有IXYS快速内嵌二极管 (HiPerFETTM) 的N通道功率MOSFET
规格
- 数量:1个/袋
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:26 A
- 最大漏源电压:1200 V
- 最大泄漏源电阻:460 mΩ
- 最大门限电压:6.5V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包类型:TO-264
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:960 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:711-5360
| 第号命令。 | 64-0346-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IXFK26N120P | |
| 标准价格 |
JPY: 7,840
USD: 48.78
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1piece/bag | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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