64-0331-19 ［已停用］IRLI640GPBFN沟道MOSFET, 9.9 A, 200 V,3引脚TO-220FPVishay IRLI640GPBF
功能
- N沟道MOSFET,200V至250V, Vishay半导体
规格
- 数量:1袋 (50个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:9.9 A
- 最大漏源电压:200 V
- 最大泄漏源电阻:180 mΩ
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-10 V,+10 V
- 封装类型:TO-220FP
- 安装类型:通孔
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:40 W
- 最低工作温度:-55°C
- 代码号:145-1792
| 第号命令。 | 64-0331-19 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | IRLI640GPBF | |
| 标准价格 |
JPY: 18,100
USD: 113.54
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(50pieces) | |
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| 日本股票 | - | |