64-0190-21 FQP6N80CN通道MOSFET, 5.5 A, 800 V QFET,3引脚TO-220AB安森美半导体 FQP6N80C
功能
- QFET®N沟道MOSFET,高达5.9A,飞兆半导体。飞兆半导体的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，可为各种应用提供一流的操作性能，包括电源、PFC (功率因数校正) 、DC-DC转换器、等离子显示面板 (PDP) 、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS (on) ) 降低导通状态损耗，并通过降低栅电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 降低开关损耗。通过采用先进的QFET®工艺技术，飞兆半导体可以提供比竞争平面MOSFET器件更好的性能指标 (FOM) 。
规格
- 数量:1袋 (5只)
- 通道类型:N
- 最大连续排水电流:5.5 A
- 最大泄源电压:800 V
- 最大泄源电阻:2.5Ω
- 最小栅极阈值电压:3V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 封装类型:TO-220AB
- 安装类型:直通孔
- 针数:3
- 通道模式:增强
- 类别:功率MOSFET
- 最大功率消耗:158 W
- 典型关断延迟时间:47 ns
- CODE编号:671-5161。
| 第号命令。 | 64-0190-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FQP6N80C | |
| 标准价格 |
JPY: 3,130
USD: 19.48
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(5pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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