64-0189-39 ［已停用］FDP8896N沟道MOSFET, 16 A, 30 V电源沟槽，3引脚TO-220AB安森美半导体 FDP8896
功能
- PowerTrench®N沟道MOSFET,10A至19.9A,飞兆半导体
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:16 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:6mΩ
- 最小门限电压:1.2V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 包装类型:TO-220AB
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:80 W
- 典型的关机延迟时间:56 ns
- 代码号:671-4875
| 第号命令。 | 64-0189-39 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDP8896 | |
| 标准价格 |
JPY: 670
USD: 4.20
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(5pieces) | |
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| 日本股票 | - | |