64-0189-21 ［已停用］FDP33N25N沟道MOSFET, 33 A, 250 V UniFET,3引脚TO-220AB安森美半导体 FDP33N25
功能
- UniFETTM N通道MOSFET,飞兆半导体。UniFETTM MOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列。它具有平面MOSFET中最小的导通电阻，并且具有优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部门源ESD二极管允许UniFET-IITMMOSFET承受超过2000VHBM的浪涌应力。UniFETTMMOSFET适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC) 、平板显示 (FPD) 电视电源、ATX (先进技术eXtended) 和电子灯镇流器。
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:33 A
- 最大漏源电压:250 V
- 最大泄漏源电阻:94 mΩ
- 最小门限电压:3V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 包装类型:TO-220AB
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:235 W
- 尺寸:10.67 x 4.83 x 9.4mm
- 代码号:671-4819
| 第号命令。 | 64-0189-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDP33N25 | |
| 标准价格 |
JPY: 2,150
USD: 13.38
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| 数量 | 1bag(5pieces) | |
|
||
| 日本股票 | - | |