64-0187-39 ［已停用］FDN359BNN沟道MOSFET, 2.7 A, 30 V PowerTrench,3引脚SOT-23安森美半导体 FDN359BN
功能
- PowerTrench®N-ChannelMOSFET,高达9.9A,飞兆半导体
规格
- 数量:1袋 (3000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:2.7 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:46 mΩ
- 最大门限电压:3V
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-20 V,+20 V
- 封装类型:SOT-23
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:500 mW
- 典型门控@Vgs:5nC@5V
- 代码号:166-1807
| 第号命令。 | 64-0187-39 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDN359BN | |
| 标准价格 |
JPY: 95,600
USD: 594.82
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(3000pieces) | |
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| 日本股票 | - | |