64-0086-13 ［已停用］NexperiaPBSS5130T, 215 PNP晶体管，1 A, 30 V,3-PinSOT-23 PBSS5130T,215
功能
- 低饱和电压PNP晶体管。一系列恩智浦BISS (突破小信号) 低饱和电压PNP双极结晶体管。这些器件具有紧凑的节省空间封装中极低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。这些晶体管损耗的减少导致在开关和数字应用中产生更低的热量和整体效率的提高。
规格
- 数量:1套 (3000个)
- 晶体管类型:PNP
- 最大直流收集器电流:1A
- 最大收集器发射器电压:30 V
- 封装类型:SOT-23 (TO-236AB)
- 安装类型:表面安装
- 最大功耗:480 mW
- 最小直流电流增益:201
- 晶体管配置:单一
- 最大收集器基础电压:30 V
- 最大发射极基础电压:5V
- 最大工作频率:200 MHz
- 销数:3
- 每个芯片的元素数:1
- 最低工作温度:-65°C
- 代码号:166-0517
| 第号命令。 | 64-0086-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | PBSS5130T,215 | |
| 标准价格 |
JPY: 24,500
USD: 153.68
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(3000pieces) | |
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| 日本股票 | - | |