63-9727-90 ［已停用］安森美半导体NCV5183DR2G双高端和低端MOSFET电源驱动器，4.3A8针，SOIC NCV5183DR2G
功能
- MOSFET;IGBT驱动器，安森美半导体。用于低侧、高侧和半桥电路中MOSFET和IGBT的功率驱动器。
规格
- 数量:1袋 (2个)
- 驾驶人数:2
- 最小工作电源电压:-0.3 V
- 最大工作电压:18 V
- 拓扑:高边和低边
- 安装类型:表面安装
- 峰值输出电流:4.3A
- 输出数量:1
- 极性:非反转
- 封装类型:SOIC
- 销数:8
- 桥型:半桥
- 输入逻辑兼容性:5V
- 高低边依赖性:独立
- 最低工作温度:-40°C
- 代码号:141-2983
| 第号命令。 | 63-9727-90 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | NCV5183DR2G | |
| 标准价格 |
JPY: 630
USD: 3.92
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(2pieces) | |
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| 日本股票 | - | |