63-8091-21 SIRA00DP-T1-GE3N通道MOSFET, 100 A, 30 V TrenchFET,8PinPowerPAK SO Vishay SIRA00DP-T1-GE3
功能
- N-ChannelMOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay半导体
规格
- 数量:1袋 (5个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:100 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:1.35 mΩ
- 最小门限电压:1.1V
- 最大栅源电压:-16 V,+20 V
- 包类型:PowerPAK SO
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- 最大功耗:104 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:787-9367
| 第号命令。 | 63-8091-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | SIRA00DP-T1-GE3 | |
| 标准价格 |
JPY: 3,100
USD: 19.29
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| 数量 | 1bag(5pieces) | |
| 日本股票 |
|
|
| 供应商存货 |
|
|