63-8091-13 SISA04DN-T1-GE3N通道MOSFET, 40 A, 30 V TrenchFET,8PinPowerPAK 1212 Vishay SISA04DN-T1-GE3
功能
- N-ChannelMOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay半导体
规格
- 数量:1袋 (2个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:40 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:3.1 mΩ
- 最小门限电压:1.1V
- 最大栅源电压:-16 V,+20 V
- 包类型:PowerPAK 1212
- 安装类型:表面安装
- 销数:8
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:52 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:768-9307
| 第号命令。 | 63-8091-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | SISA04DN-T1-GE3 | |
| 标准价格 |
JPY: 750
USD: 4.67
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(2pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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