63-8046-13 ［已停用］FQP11P06P通道MOSFET, 11.4 A, 60 V QFET,3PinTO-220F安森美半导体 FQP11P06
功能
- QFET®P-通道MOSFET,飞兆半导体。飞兆半导体的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，可为各种应用提供一流的操作性能，包括电源、PFC (功率因数校正) 、DC-DC转换器、等离子显示面板 (PDP) 、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS (on) ) 降低导通状态损耗，并通过降低栅电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 降低开关损耗。通过采用先进的QFET®工艺技术，飞兆半导体可以提供比竞争平面MOSFET器件更好的性能指标 (FOM) 。
规格
- 数量:1袋 (10个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:11.4 A
- 最大漏源电压:60 V
- 最大泄漏源电阻:175 mΩ
- 最小门限电压:2V
- 最大栅源电压:-25 V,+25 V
- 包装类型:TO-220F
- 安装类型:通孔
- 晶体管配置:单一
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:53 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:862-8766
| 第号命令。 | 63-8046-13 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FQP11P06 | |
| 标准价格 |
JPY: 940
USD: 5.85
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(10pieces) | |
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| 日本股票 | - | |