63-8011-21 FDD6685P-通道MOSFET, 11 A, 30 V PowerTrench,3针DPAK安森美半导体 FDD6685
功能
- PowerTrench®P-ChannelMOSFET,飞兆半导体。PowerTrench®MOSFET是优化的功率开关，可提高系统效率和功率密度。将小栅极电荷 (Qg) 、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软反向恢复体二极管相结合，有助于实现交直流电源同步整流的快速切换。最新的PowerTrench®MOSFET采用屏蔽栅极结构，提供电荷平衡。利用这种先进技术，这些器件的FOM (功率图) 明显低于前几代器件。PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除短路或更换更高电压等级的MOSFET。
规格
- 数量:1袋 (10个)
- 频道类型:P
- 最大持续降水电流:11 A
- 最大漏源电压:30 V
- 最大泄漏源电阻:30 mΩ
- 最小门限电压:1V
- 最大栅源电压:-25 V,+25 V
- 封装类型:DPAK (TO-252)
- 安装类型:表面安装
- 销数:3
- 通道模式:增强
- 最大功耗:52 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:809-0916
| 第号命令。 | 63-8011-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | FDD6685 | |
| 标准价格 |
JPY: 2,200
USD: 13.79
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1bag(10pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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