63-7694-21 STN1HNK60N沟道MOSFET, 400 mA, 600 V MDmesh, SuperMESH,3+TabPinSOT-223意法半导体 STN1HNK60
功能
- N通道MDmeshTM超级MESHTM,250V至650V,意法半导体
规格
- 数量:1套 (4000个)
- 信道类型:N
- 最大持续降水电流:400毫安
- 最大漏源电压:600 V
- 最大泄漏源电阻:8.5Ω
- 最大门限电压:3.7V
- 最小门限电压:2.25V
- 最大栅源电压:-30 V,+30 V
- 封装类型:SOT-223
- 安装类型:表面安装
- Pin计数:3+Tab
- 通道模式:增强
- Category:功率MOSFET
- 最大功耗:3.3 W
- 每个芯片的元素数:1
- 代码号:920-6591
| 第号命令。 | 63-7694-21 | |
|---|---|---|
| 型号号。 | STN1HNK60 | |
| 标准价格 |
JPY: 337,000
USD: 2,096.81
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 数量 | 1set(4000pieces) | |
| 日本股票 |
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| 供应商存货 |
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